电力电子器件详解.pptVIP

2.5 功率集成电路 功率集成电路（PIC：Power Integrated Circuit）是指将功率半导体器件和其驱动电路等组合在同一个芯片或是同一个封装中。 采用功率集成电路可以提高电路的功率密度，简化安装工艺，提高电力电子装置性能。 目前功率集成电路内部使用的功率器件通常为MOSFET或IGBT。 智能功率模块 (IPM) 用户专用智能功率模块（ASIPM) 简单PIC 2.5 功率集成电路 IPM?将电力电子器件与驱动电路、保护电路、检测电路等集成在一个芯片或模块内 ASIPM?按照用户提供的整机线路，把所有元器件以裸片(或半裸片)和芯片的形式集成到一个模块中 简单PIC ?指处理功率较小、包含控制电路等部分的功能较完整的一种功率集成电路 2.4.5 大功率晶体管 1. GTR的结构和工作原理 开通和关断可由基极电流来控制，故称为全控型器件和电流型驱动器件。 开通条件：Uce正偏，提供基极电流。 关断：Ib小于等于零。 共发射极接法时典型输出特性：截止区、放大区和饱和区。 2. GTR的基本特性 (1)? 静态特性 电力电子电路中GTR工作在开关状态，即截止区或饱和区 3. GTR的主要参数 1)??最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿 实际使用时，为确保安全，最高工作电压要比BUceo（基极开路时，集电极和发射极间的击穿电压）低得多。 2)?集电极最大允许电流IcM 通常规定为hFE（电流放大系数）下降到规定值的1/2-1/3时所对应的Ic 实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点。 3) 集电极最大耗散功率PcM 最高工作温度下允许的耗散功率 4. GTR的二次击穿现象与安全工作区 一次击穿 集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大，出现雪崩击穿。 只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。 二次击穿 一次击穿发生时Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降。 常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变 。 安全工作区（Safe Operating Area——SOA） 最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定。 2.4.2 功率场效应晶体管 场效应管分为结型、绝缘栅型两类。 通常指绝缘栅型中的MOS型，简称电力MOSFET（Power MOSFET） 本节以绝缘栅场效应管为例介绍场效应管的工作原理及其主要特性、参数。 2.4.3 功率场效应晶体管 ?特点——用栅极电压来控制漏极电流 驱动电路简单，需要的驱动功率小。（电压驱动） 开关速度快，工作频率高。（可到500kHz） 热稳定性优于GTR。 电流容量小，耐压低，最高耐压为：1000V，最高耐流 为200A，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 ，但开关频率为电力电子器件中最高，可达500KHZ。 1) 功率场效应管的结构与工作原理 垂直导电扩散场效应管结构、电路符号 1) 功率场效应管的结构与工作原理 1) 功率场效应管的结构与工作原理 --反向导通特性： 漏极源极间的电压uDS0时, D、S之间相当于一个二极管(P、N-）接有正向电压，器件处于导通状态 1) 功率场效应管的结构与工作原理 --正向导通特性 （VDS0） VGS0 时，栅源结相当于一电容，栅极带正电荷，将在靠近栅极的P内感应产生电子，即在P区内 形成一个反型层（P变到N）。 反型层 反型层作为导电沟道将源极N+与漏极 N-连接在一起，形成电流通道 注： 撤除栅源电压，反型层消失，DS间恢复阻断状态 1) 功率场效应管工作原理小结 使MOSFET正向导通只需建立栅源间电场, 即给栅源间结电容充电即可，而给栅源间结电容放电即可使MOSFET关断–电压控制型器件 MOSFET栅源间结电容很小，栅源间结电容冲放电时间很短，因此MOSFET驱动功率小，开关速度快。 漏源间电流由反型层提供通道，容许通过电流的能力有限 功率MOSFET主要用于高频、小功率场合。 2. 功率MOSFET的基本特性 MOSFET的基本特性包括静态特性与动态特性。 MOSFET的静态特性指其转移特性与输出特性，动态特性主要指其开关特性。 1.转移特性 转移特性:一定漏源电压下漏极电流和栅源电压之间的关系。 开启电压（阈值电压） 2. 输出特性 描述一定栅源电压下，漏极电流与漏源电压的关系 Ⅰ区--非饱和区 也称可变电阻区 Ⅱ区--饱和区， 也称恒流区 Ⅲ区--截止区 IV区--雪崩击穿区 电力电子电路中MOSFET主要工作在非饱和区（Ⅰ区）、截止区（ Ⅲ区），即工作在开关状态 3. 动