1-1半导体物理基础解读.ppt

其中，r是电子空穴的复合几率，与n和p无关。 热平衡时：G0=R0=rn0p0=rni2 复合率减去产生率，则为非平衡载流子(过剩载流子)的净复合率。 Ud=R-G =r（np-n0p0）≈r（ n0+ p 0 ）+r（ ⊿p ）2 即 Ud≈r（ n0+ p 0 ）+r（⊿p ）2 间接复合：通过杂质或缺陷能级Et而进行的复合。 俘获与发射： 俘获电子 发射电子 俘获空穴 发射空穴 电子俘获率： 电子产生率： 空穴俘获率： 空穴发射率： Rn=rnn（Nt-nt） Gn=s-nt Rp=rppnt Gp=s+（ Nt-nt ） rn：电子俘获系数 s- ：电子激发几率 rp：空穴俘获系数 s+ ：空穴激发几率 非平衡载流子的净复合率U U=Rn-Gn=Rp-Gp 可见： （1）在热平衡时，np=n0p0 U=0 （2）在非平衡时，npn0p0 U0 半导体的主要散射机构 电离杂质散射 晶格振动的散射 晶格振动散射几率 电离杂质散射： 声学波散射： 光学波散射： 平均自由时间与散射几率 多种散射机构同时存在时的迁移率 对于掺杂的硅、锗等原子半导体，主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射： 注：对于补偿半导体：载流子浓度决定于施主和受主浓度之差，但是迁移率决定于两种杂质浓度之和！ 电阻率与杂质浓度和温度的关系 电阻率与杂质浓度关系(300K) AB段：载流子主要来自杂质电离，它随温度升高而增加，散射以电离杂质为主，迁移率随温度升高而增大； BC段：杂志全部电离，载流子浓度基本不变，晶格振动散射开始起主导作用，迁移率随温度升高而下降，电阻率增大 C段：本征激发为主，随温度升高，载流子数量快速增加，其影响远远超过迁移率变化，电阻下降 扩散定律 稳态扩散方程 探针注入 总电流 爱因斯坦关系 稳态情况下连续性方程的解 电阻率 是电导率 的倒数，在工程中更常用到，根据(4-15)式： 电阻率与杂质浓度关系(300K) A B C T 当半导体内的载流子分布不均匀时，会出现载流子由高浓度处向低浓度处的扩散运动，由于扩散运动而形成的净电荷流动将形成电流，称为扩散电流。 光照 1.4.4 载流子的扩散运动和爱因斯坦关系 1. 载流子的扩散运动 如果光照射样品 ，在表面薄层内就产生了非平衡载流子，而内部没有，这样表面和体内存在了浓度梯度，从而引起非平衡载流子由表面向内部扩散。 非平衡载流子从表面开始，在体内按照指数规律衰减； 非平衡载流子因为存在复合， 为空穴扩散长度； 反映了非平衡载流子因扩散而深入样品的平均距离。 内部 表面 有效距离 很稀少 一维情况： 实验证明：扩散流密度正比浓度梯度 Dp为空穴扩散系数，单位是cm2/s，负号表示由高浓度向低浓度扩散，上式为扩散定律。对于电子同样有： 对于均匀半导体，平衡状态下载流子分布处处均匀，所以载流子的扩散运动其实就是非平衡载流子扩散运动。 假设表面有恒定光照，则表面非平衡载流子将保持恒定，半导体内部载流子分布也将达到稳定分布。 由于扩散在单位时间单位体积内积累的空穴数为： 它应该等于单位时间单位体积内因复合而消失的空穴数 上式为一维稳态扩散方程，其一般解为： 其中 ： （自学内容） 样品足够厚： 则： 该式说明非平衡载流子向内部按指数衰减。 载流子的平均扩散长度： Lp称为扩散长度，它由扩散系数和载流子寿命决定 (5-84)代入(5-79) （自学内容） 样品厚度为W， 处非平衡少数载流子被强制为零 得： 解得： （自学内容） 此时，非平衡载流子呈线性分布，其浓度梯度为： 扩散流密度为： (5-91) (5-92) 上式说明扩散流为常数，这意味着非平衡载流子在样品中没有复合。在晶体管中，基区宽度远小于扩散长度，非平衡载流子通过基区时基本来不及复合。非平衡载流子的分布满足上述分布。 （自学内容） 三维情形： 空穴和电子扩散电流密度分别为： （自学内容） 探针与半导体表面形成半球形接触面，采用球坐标： (5-102) 可解得： 边界处径向扩散流密度： （自学内容） 对于空穴和电子分别有： 半导体中总电流为： 光照 2 总电流——爱因斯坦关系 迁移率和扩散系数之间的定量关系由爱因斯坦从理论上证明，称为爱因斯坦关系 考虑一块非均匀n型半导体，施主杂质随x增加而下降 电子空穴扩散电流