3单晶硅制备工艺要点.ppt

放肩与转肩 放肩：引晶达到规定长度后，如果晶棱不断，立刻降温并降低拉速，使细颈逐渐长粗到规定的直径，此过程称为放肩。 要求：1、放肩的起始部分宜慢，之后应适时降温，使放肩生长平滑，防止肩部呈台阶状。2、放肩拉速在0.3-0.5之间。 转肩：待晶体长到规定直径时（小于要求直径约5mm时，即可开始转肩） 缓慢提高拉速，使其平滑过渡，肩部近似直角。 要求：转肩前需进行预降温，一般降低2-4℃ 转肩速度为2-4mm/min，根据现场放肩快慢而定。 转肩过程中适时跟上少量埚升。转肩完成后，埚升调整到位。 转肩完成后，检查等径参数，投自动控制。 等直径生长和收尾 原理： 单晶的等直径生长中，随着单晶长度的不断增加，单晶的散热表面积也增大，散热速度也越快，单晶生长界面的温度会降低，使单晶变粗。另一方面，随着单晶长度的增加，熔硅逐渐减少，坩埚内熔硅液面逐渐下降，熔硅液面越来越接近高温区，单晶生长界面的温度越来越高，使单晶变细。 等直径生长，是由计算机自动控制温度和拉晶速度，但在生产实践中，操作工人一定要注意观察和记录晶体直径和温度的变化，一旦有异常，迅速报告班长或上一级部门。 熔化料注意事项： 1、埚位升降的把握 一旦跨料之后，应该马上将坩埚升上来。如果不及时将坩埚升上来，料块的主体部分处于低温区，会增加化料的时间，也就增加了坩埚和硅液的反应时间，不利于坩埚的保护。上升的时候注意，要在料和导流筒之间留够安全距离 2、在整个化料的过程中，都要有防范漏料的意识。因此，熔料过程中操作人员不能离开炉台，要随时观察情况，及时处理挂边、搭桥、漏料及其他意外事故。A:为了防范漏料，在平时（指正常时）就应该积累以下经验：高温多少时间以后，坩埚下部会出现熔液；首次出现熔液时，液面的位置应该在什么地方；第一次跨料后，液面高度应该在什么位置。B:判断漏料的迹象除了出现熔液的时间、熔液的高度位置外，还有一个参考现象是观察加热电流是否稳定，因为漏料会造成短路打火。 停炉 1、加热功率降为零，关闭加热电源按钮。 2、停止坩埚转动，籽晶转动可变慢，降坩埚50毫米，停止坩埚轴和籽晶轴的上下运动。 3、 3-4小时后可以停氩气，热检并记录真空度，关闭真空阀门，停止真空泵 4、 6-7小时后方可停冷却水。 收尾 目的：消除位错，提高成品率。 原因：单晶拉完时，由于热应力作用，尾部会产生大量位错，并沿着单 晶向上延伸，延伸的长度约等于一个直径。所以收尾长度要求大于 150毫米。 所谓热应力，就是指晶体中心部分对边缘部分的相对收缩或膨胀，大小取决于晶体中温度的均匀分布。可以是压缩力或拉伸力。 静态热场：指硅熔完后，引晶时温度分布状况，由加热器、保温系统、 坩埚位置及周围环境决定。、 动态热场: 指拉晶时的热场，由晶体生长放出的结晶潜热影响温度的分布，熔体液面下降使温度分布发生变化，而晶体生长表面积增加，散热面积增加，温度分布也发生变化，这样温度热场梯度不断变化的热场称为动态热场， 动态热场是晶体生长的实际热场。 温度梯度：指温度在某方向的变化率用dT/dr表示，指某点的温度T在r方向的变化率，在一定距离内某方向的温度相差越大，单位距离内温度变化也越大，温度梯度也越大，反之，越小。 第五节：拉晶过程中的异常情况及处理 一：挂边和搭桥 挂边：多晶硅熔完时，有少量硅块粘在坩埚边上。 搭桥：多晶硅熔化过程中，部分硅块在熔体上面形成 一座“桥”。 产生原因：1、装料不合要求。 2、熔硅时坩埚位置太高或过早的提高了坩埚位置。 3、过早的降低了熔硅温度。 处理方法：首先降低坩埚位置，快速升高熔硅温度，让其处于加热器高温区。一旦挂边或搭桥消失，快速降温并快速升高坩埚，避免跳硅。 二：硅跳： 所谓硅跳，在化料过程中熔硅在坩埚中沸腾并且飞溅出来的现象。 产生原因： 1、多晶硅中有氧化层或封闭气泡 2、石英坩埚内壁有气泡 3、熔化时温度太高。 一旦温度高，硅和石英坩埚反应加快，生成大量一氧化硅气泡产生硅跳。 Si +SiO2=2SiO ↑ 4、料熔完后没有及时升坩埚或降低功率。 三：放肩时坩埚边结晶 原因：熔硅表面过冷度太大。从工艺角度看，是热场纵向温度梯度偏小或放肩时温度降低太多而造成的。 解决方法：增大热场的纵向温度梯度，降低放肩时的拉晶速度。 一旦坩埚边出现结晶，要适当升高温度，降低拉速，使结晶缓慢熔化，待熔化完后，可继续进行正常放肩拉晶。 四：等径时断线或鼓棱 原因：1、原料有害杂质含量高