4第四章 离子注入.pptVIP

4.6 注入退火 离子注入所形成的损伤有： ①散射中心：使迁移率下降； ②缺陷中心：非平衡少子的寿命减少，漏电流增加； ③杂质不在晶格上：起不到施主或受主的作用。 退火目的：消除注入损伤，使注入离子与位移Si原子恢复正常的替位位置－－激活。 退火方法：热退火（传统退火）；快速退火。 热退火机理： a.无定形层（非晶层）：通过固相外延，使位移原子重构而有序化。无定形是晶体的亚稳态，这种固相外延可在较低温度下发生。 b.非无定形层：高温下，原子振动能增大，因而 移动能力增强，可使复杂的损伤分解为简单的缺陷，如空位、间隙原子等。 简单的缺陷能以较高的迁移率移动，相互靠近时， 就可能复合而使缺陷消失。 退火工艺条件：温度；时间；方式（常规、快速）。 4.6 注入退火 4.6.1 硅材料的热退火特性 退火机理： ①复杂的损伤分解为简单缺陷：空位、间隙原子； ②简单缺陷可因复合而消失； ③损伤由单晶区向非单晶区通过固相外延再生长得到恢复。 二次缺陷：简单缺陷重新组合，形成新的缺陷。 注入剂量与退火温度成正比。 载流子激活所需温度：低于寿命和迁移率恢复所需温度 (杂质激活能小于Si扩散的激活能）。 4.6 注入退火 4.6.2 硼的退火特性 4.6.3 磷的退火特性 4.6.4 热退火过程的扩散效应 （以上请自学） 4.6 注入退火 4.6.5