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集成电路制造技术 Manufacturing Technology of IC School of Microelectronics Xidian University 2013.11 第七章 外延 Epitaxy 基本概念 希腊语：在……排列 定义：在单晶衬底上，按衬底晶向生长一层新单晶薄膜的工艺技术 外延层：衬底上新生长的单晶层。 外延片：生长了外延层的衬底。  外延的应用 ①双极器件与电路： 轻掺杂的外延层--较高的击穿电压；重掺杂的衬底?降低集电区串联电阻 ②CMOS电路：CMOS微处理器的标准工艺 漏电流小；避免了硅层中SiOx的淀积；外延硅薄膜的损伤最小。 提高器件性能；IC电隔离；工艺设计器件制造灵活性增大（微波器件）。 外延的分类 ①按工艺分类： 气相外延(VPE):硅的主要外延工艺, 成熟, 高温800-1150℃(加剧扩散,自掺杂)； 液相外延(LPE):Ⅲ-Ⅴ化合物的外延； 固相外延(SPE):离子注入退火过程；晶体 注入 非晶 退火 晶体，低温 分子束外延(MBE，Molecular Beam Epitaxy):超高真空下的蒸发技术。利用蒸发源提供定向的分子束或原子束，撞击到清洁的衬底表面生产外延层的工艺过程。 ②按材料分类 同质外延：外延层与衬底材料相同(本章重点)。Si上外延Si，GaAs上外延GaA