第五章薄膜材料的应用祥解.ppt

金刚石薄膜及其应用 --Diamond Carbon Films 回顾 1、薄膜材料的力学性能 本次课内容导读 1、金刚石薄膜材料的概述、结构 2、金刚石薄膜材料的制备方法 3、金刚石薄膜材料的红外特性 4、类金刚石薄膜材料 概 述 高硬度：金刚石是自然界中硬度最高的物质； “Diamond”一词来源于阿拉伯语“d-mas”或希腊语“amas”，意为“不可征服的、不可摧毁的”(unconquerable, invincible)，可制成刀具和耐磨材料，切割非铁合金材料和复合材料；可制成微观外科手术刀等。 高导热率： (～20W/cm·K) 是铜的5倍，可制成大功率激光器、集成电路等半导体器件的热沉。 高透光性：金刚石透光范围宽，透过率高，透射性能优良，对光线而言从远红外区到深紫外区是完全透明的，可制成光学元件的镀层、红外窗口等。 高弹性模量： (1200GPa)和高的声波传播速度(18000m/s) 可制成高保真扬声器的振动膜。 电学方面：宽禁带、高载流子迁移率、低介电常数、高击穿电压等，可制成高温半导体器件(600℃)，用于耐强辐射器件，其禁带宽度为5.5eV，因而非掺杂的本征金刚石是极好的电绝缘体，它的室温电阻率高达 。 金刚石具有极好的抗腐蚀性和优良的耐气候性等特点。 金刚石制备历史的简要回顾 金刚石制备历史的简要回顾 美国通用(GE)电气公司于1955年率先制成了HTHP金刚石，并于60年代将HTHP金刚石用于工具加工领域。通过添加金属催化剂如Fe、Co、Ni、Mn、 Cr等可以使转化温度和压力从3,000K，150,000atm下降到1,600K，60,000atm。 图3 碳的相图 金刚石薄膜制备的主要CVD方法 1、热灯丝CVD(HFCVD)； 2、微波等离子体CVD(MWPCVD)； 3、直流等离子体CVD(DC-CVD)； 4、直流电弧等离子体射流CVD(DC-jet)； 5、电子增强CVD(EACVD)； 6、磁微波等离子体CVD(ECRCVD)等方法； 研究证实，用化学气相沉积法制备的金刚石薄膜，其力学、热学、光学等物理性质已达到或接近天然金刚石。 表1 天然金刚石和CVD金刚石薄膜的物理性质 表2 国内外金刚石薄膜的研究进展 各种动力学因素： 反应过程中输入的热能或射频功率等的等离子体能量、反应气体的激活状态、反应气体的最佳比例、沉积过程中成核长大的模式等对生成金刚石起着决定性的作用。 各种动力学因素： 通常用甲烷进行热解沉积。由于石墨的生成自由能大于金刚石，当提高甲烷浓度时，石墨的生长速率将会提高，而且比金刚石还快，故一般采用低于1%的甲烷含量。 若沉积基片的温度超过1000℃，则石墨的生成速率就会大幅度增加，考虑到工艺上的可能性，基片温度约为800~1000℃。 原子氢的存在有利于稳定sp3键。为了得到较高比例的原子氢，采用微波、射频或直流电弧放电，热丝或火焰分解，以及催化等方法。 基片的表面状态对金刚石的成核有很大影响。因为基体或生长面的缺陷与金刚石晶核具有较高的结合能，将导致降低成核的自由能。 表3 各种气相合成金刚石薄膜方法比较 金刚石薄膜的结构 人们普遍采用扫描电镜和透射电镜、原子力显微镜、拉曼光谱、X射线衍射和电子衍射、能量损失谱、X射线光电子能谱、俄歇电子谱、二次离子质谱等研究金刚石薄膜的形貌、结构、相的纯度和缺陷等。 扫描电镜（SEM）能直观反映金刚石薄膜的晶型，如可观察到三角形（111）面、正方形（100）面、球形面（非金刚石碳含量多），还能观测晶粒大小和均匀性、薄膜的致密性（有无孔洞的缺陷）等。 金刚石薄膜大致可以分为三类： ①类金刚石为主的金刚石薄膜，金刚石薄膜中金刚石碳的相对原子质量分数为31%； ②金刚石为主的金刚石薄膜，金刚石碳的相对原子质量分数为90.97%； ③质量好的金刚石薄膜，金刚石碳原子占97%以上。 金刚石的性能 金刚石薄膜具有优异的机械、热、光、电、半导体、声、生物及化学性能，下面只简要介绍热敏特性及光学性能。 1．热敏特性 金刚石薄膜的电阻随温度的升高，下降得非常快。 未掺杂的金刚石薄膜计算得到的材料常数B值为4443K，材料激活能E为0.38eV； 掺杂硼可改变B和E值，便于与二次仪表匹配。 因此金刚石薄膜可用于制造热敏电阻，具有灵敏度高、工作温度范围宽、抗辐射能力强等优点。 2．金钢石薄膜的红外光学特性 无基体金刚石薄膜的红外透过特性 红外透过率最高可达98%。如果金刚石薄膜的晶粒较大，透过率会低13%~20%。说明晶粒大，表面粗糙，散射损失大。 有基体金刚石薄膜的红外透过率 硅基体沉积金刚石薄膜的红外透过率约为58%。沉积金刚石薄膜后最高红外透过率高达到8