氧碳含量的控制0.ppt

氧碳含量的控制 引言 单晶硅片是用于太阳能电池的优良半导体材料，太阳能电池的转化效率与硅片中的杂质有很大关系，从多晶硅原料到单晶硅锭再到单晶硅片，最后再从单晶硅片经过一系列加工最终被制成太阳能电池，其杂质的含量也发生了一系列变化。在了解单晶硅生产工艺和原理的基础上，分别确定单晶硅中氧、碳杂质在轴向和径向的分布规律，进一步分析其分布规律产生的原因及各项影响因素，接下来通过改善氧、碳分布均匀性及控制其含量的目的。 单晶硅生长工艺 单晶的生长方法有很多种，但在生产上应用的只有两种，即悬浮区熔法(Fz)和直拉法(cz)，其中直拉法包含磁场直拉法，磁场直拉法的特别之处是磁场作为一个单晶生长的特别参数。 1.区熔法(FZ) 区熔法不需要石英柑祸，高温的硅并没有和任何其它物质接触，因而很容易保持高纯度。这种方法可以得到特别低的氧含量，但是它不太容易生长出较大直径的硅单晶。 2.直拉法(ez) 直拉法是CL电路用硅片最常用的方法。熔硅放在石英增锅里面，因为石英坩埚导致氧进入熔硅，因而有高的氧含量。 直拉法的创始人是“恰克拉斯基”(J.czochralski)，所以说该法又称恰克拉斯基法。该法简单的描述为:原料装在一个增祸中，柑祸上方有一可旋转和升降的籽晶杆，杆的下端有一夹头，其上捆上一根籽晶。原料被加热器熔化后，将籽晶插入熔体之中，控制合适的温度，边转动边提拉，即可获得所需单晶。 直拉法硅单晶生长的优点: 1、可以方便地观察晶体生长过程。 2、晶体在熔体和自由表面处生长，而不与坩埚接触，可以减少热应力。 3、可以方便地使用定向籽晶和籽晶细颈工艺以减小晶体中的缺陷。得到所 需取间的晶体。 4、较快的生长速度和较短的生长周期。 氧元素对生产中的影响 氧在硅电子器件的制造中, 既有害亦有利。原生硅晶体中的氧是形成诸如氧化堆垛层错和热施主的主要起因。在器件激活区中的氧沉淀可引起结的击穿或产生漏电流。 在退火过程中,氧沉淀的产生使器件的成品率下降。高氧浓度导致电阻率的热稳定性差, 结果使得由这些材料制成的器件的阻塞电压低。利用特定的热处理条件, 在器件的激活区外生成SiO 2 沉淀和相关的诱生缺陷, 它们可用于对有害的金属杂质的吸除, 使激活区成为“洁净区” , 以提高器件性能, 这就是本征吸杂过程。因此对每一种器件加工过程而言, 硅单晶都必须有一个合适的氧浓度范围。 在CZ 法生长中, 氧不可避免地掺入硅单晶。其途径是氧从石英 (SiO 2) 坩埚溶解进入硅熔体, 溶解的氧经由熔体的对流和扩散传输到晶体2熔体界面或自由表面。熔体中的大多数氧在熔体自由表面蒸发, 而余下的氧通过晶体2熔体界面的分凝而掺入晶体内。由于氧在熔体中的扩散系数相当小, 所以通过熔体对流来传输氧是主要的。 直拉单晶硅中氧的基本性质 在液态硅中，氧的浓度受到下列因素影响: (l)热对流; (2)熔硅和石英增锅的接触面积; (3)机械强度对流; 由石英坩埚壁产生的氧原子，受到自然对流的搅拌作用，而均匀分布于硅液中。 (4)Si0从液态表面的蒸发; 随着对流运动而传输到硅液面的氧原子，会以Si0的形态挥发掉。由于Si0的蒸气压在硅的熔点温度约为O.OO2atm，超过95%的气体会挥发掉。 (5)氧在固体晶体中的结合。在固液界面前端扩散边界层的氧原子，借由偏析现象进入晶锭中 在晶体生长初期，很强的热对流运输缺氧的熔体通过热增祸壁的最大面积，增加了石英增祸的熔解，因此，有大量的氧原子被引入硅熔体。在实际操作中，改变晶转和祸转等生长工艺参数，能有效地控制直拉硅单晶中的氧浓度。 埚转与晶转对氧元素的影响 埚转和晶转对CZ 硅单晶中氧的控制起着重要作用, 因此改变拉晶时的坩埚转速和籽晶转速就成为控氧的通用方法。一般的结论是: 1) 埚转可使熔体均匀化, 氧浓度随坩埚转速的增加而增加, 高坩埚转速产生高氧晶体。 2) 如果不存在外加的强制作用, 如加水平磁场, 它能抑制熔体的垂直方向的运动, 那末氧浓度随籽晶转速的增加而增加。 3) 随籽晶转速增加,氧浓度的径向分布变得平坦, 这种效应由坩埚转速的增加而受到抑制。 对大直径CZ 硅单晶的生长, 埚转与晶转对硅单晶中氧的影响与小直径的硅单晶有些差别。如拉制200mm 直径的CZ 硅单晶, 发现: 1) 在转肩过渡区域之后, 增加籽晶转速, 降低氧浓度。 该影响可由降低坩埚转速而获得增强。 2) 在籽晶转速大于9rpm 时, 氧浓度以百分数表示的径向变化率随坩埚转速的增加而增加;但在籽晶转速小于 9rpm 时, 埚转影响的次序有所变化 (10rpm 的氧浓度大于15rpm 的氧浓度, 5rpm 的最小)。总的来看, 坩埚转速增加能抑制晶转的影响, 只是对大尺寸的生长系统而言, 出现了更为复杂的情况。 直拉单晶硅中的对流方式 CZ