化学汽相沉积分析报告.pptVIP

常温下，TMG，TMA，DEZ都是高蒸汽压的液体，将H2 或惰性气体（载气）通入到液体鼓泡器，鼓泡器加热，将这些气体带出，与PH3，AsH3，H2Se等混合通入发应器，当流过加热基片时，这些基片就在基片表面发生热分解反应，并外延生长化合物晶体薄膜，热分解反应是不可逆的。 如在高温下使其发生热分解就可得到化合物半导体GaAs，GaAlAs， H2Se掺杂气体，掺Se,P成为n型GaAs，Ga1-xAlxAs，DEZ掺杂Zn，成为P型半导体。 由于副产物气体可能结成雾状，含有微细颗粒，所以需加过滤器，气体直接抽向大气，由于气体都是剧毒气体，所以通过加热气体处理器或溶液等，减少其直接排到大气中去。 3.MOCVD法的特点 MOCVD是近十几年迅速发展起来的新型外延技术，成功地用于制备超晶格结构、超高速器件和量子阱激光器等。 MOCVD所以得到迅速发展，主要是独特优点所决定的。MOCVD的特点是： 1) MOCVD最主要的特点是沉积温度低。 例如ZnSe薄膜，采用普通CVD技术沉积温度在850℃左右，而MOCVD仅为350℃左右；又如用四甲基硅烷为源制备SiC，生长温度300℃,远低于用SiCl4和C3H8为源的生长温度（1300℃以上）。 由于沉积温度低，因而减少了自污染（舟、衬底、反应器等的污染），提高了薄膜的纯度；许多宽禁带材料有易挥发组分，高温生长易产生空位，形成无辐射跃迁中心，且空位与杂质存在是造成自补偿的原因。所以低温沉积有利于降低空位密度和解决自补偿问题；对衬底取向要求低。 2) MOCVD由于不采用卤化物原料，因而在沉积过程中不存在刻蚀反应，以及可通过稀释载气来控制沉积速率等，有利于沉积沿膜厚度方向成分变化极大的膜层和多次沉积不同成分的极薄膜层（几纳米厚），因而可用来制备超晶格材料和外延生长各种异质结构。 3) MOCVD的适用范围广，几乎可以生长所有化合物和合金半导体；如控制Ⅲ族Al、Ga、In等有机金属的物质的量的比，可以生成不同成分的混合晶体。而且MOCVD是非平衡的生长过程，能沉积卤族CVD和液相外延（LPE）不能制取的混合晶体。 4) 仅单一的生长温度范围是生长的必要条件，反应装置容易设计，较气相外延简单。生长温度范围较宽，生长易于控制，适宜于大批量生产。 5) 可在蓝宝石、尖晶石基片上实现外延生长。 MOCVD的主要缺点是： 虽然采用有机金属化合物取代普通CVD中常用的卤化物，排除了卤素的污染和腐蚀性带来的危害，但许多有机金属化合物蒸气有毒和易燃，给有机金属化合物的制备、贮存、运输和使用带来了困难，必须采取严格的防护措施。 由于反应温度低，有些金属有机化合物在气相中就发生反应，生成固态微粒再沉积到衬底表面，形成薄膜中的杂质颗粒，破坏了膜的完整性。 9.6.2 光CVD 光CVD是利用光能使气体分解，增加反应气体的化学活性，促进气体之间化学反应的化学气相沉积技术。 在薄膜沉积过程中，必须要有一定激活能量才能使反应物发生化学反应。由光能提供激活能时，只有能被反应物吸收的辐射才能导致光化学反应（光化学第一定律）。例如，用可变波长的CO2激光可以是SiH4等振动分解，或利用Ar激光使其热分解；利用几个电子伏特能量的光直接使分子中的电子激发，使分子电离等。 除了利用激光的热解作用之外，如果反应气体的受激发的吸收谱与加热的电磁谱重迭，就能同时产生激发和加热的联合效果。通过选择激光器的波长，能在多原子的分子中断裂一些特定的化学键，通过反应生成所需要的沉积膜层。 光CVD的光源有Hg灯、TEA(横向激励大气压激光器)、CO2激光器、短波激光器以及紫外光源等。波长为250nm的紫外光能量足以打破某些金属有机化合物分子链而得到金属膜。例如，Al(CH3)3和He或Cd(CH3)2和He混合气体经紫外线辐照后，在室温下即产生光分解作用。波长10.6um的CO2激光对加热基板是特别有效的，用功率0.5～5W的CO2激光束，由Ni(CO4)制备Ni膜的速率可达1～17um/s。同理，可获得Fe、W、Al、Sn、Si、TiO2、TiC和SnO2等薄膜。 此外，如果在MOCVD中采用光能代替热能，则可解决沉积温度过高的问题，这就是所谓光MOCVD。 9.6.3电子回族共振（ECR）等离子体沉积 为了进一步降低CVD的成膜温度，人们研究了电子回旋共振（ECR）等离子沉积技术，如图5-12所示。在反应室中导入2.45GHz的微波能，在875Gs(高斯)的磁场中，电子的回旋运动和微波发生共振现象。电子和气体原子碰撞，促进放电。这种技术的特点是在10-2Pa的较高真空下放电，因此，即使Si3N4分解，也不会在膜中掺入过量的氢，所以，能获得高质量的薄膜。 最近，国外采用这种新型薄膜淀积技术，解决了长期以来很难在半导体基板