热平衡时的能带和载流子浓度(23页)解读.pptVIP

课堂小结 固体材料根据电导率的大小分为：绝缘体、半导体及导体。 半导体材料：元素半导体、化合物半导体 晶体结构（简单立方、体心立方、面心立方、金刚石结构及闪锌矿结构）以及基本概念（晶格、单胞） 直接禁带、间接禁带 本征半导体概念，载流子浓度表达式，本征费米能级表达式 非本征半导体概念，施主、受主 非简并半导体概念、载流子浓度表达式 作 业 P34页，第4题 P35页，第8题、第10题 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 半导体器件物理 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 半导体器件物理 Semiconductor Physics and Devices 本征半导体：半导体中的杂质远小于由热产生的电子空穴。 热平衡状态：在恒温下的稳定状态，且并无任何外来干扰（如照光、压力或电场）。连续的热扰动造成电子从价带激发到导带，同时在价带留下等量的空穴。此状态下，载流子（导带电子和价带空穴）浓度不变。 2.6 本征载流子浓度 导带中的电子浓度可将N(E)F(E)由导带底端EC积分到顶端Etop： 其中，n的单位是cm-3，N(E)是单位体积的能态密度；F(E)是费米-狄拉克分布函数，即费米分布函数，一个电子占据能级E的能态几率。 F(E)在费米能量EF附近呈对称分布。 对于能量为E的能态被电子占据的概率，可近似为： 对于能量为E的能态被空穴占据的概率 统计力学，费米分布函数表示为 其中k是玻尔兹曼常数，T是以开为单位的绝对温度，EF是费米能级。费米能级是电子占有率为1/2时的能量。 右图由左到右所描绘的是能带图、态密度N(E)、费米分布函数及本征半导体的载流子浓度。 N(E) F(E) n(E)和p(E) 0 0.5 1.0 (a) 能带图 (b) 态密度 (c) 费米分布函数 (d) 载流子浓度 导带 价带 本征半导体 可由图求得载流子浓度，亦即由图(b)中的N(E)与图(c)中的F(E)的乘积即可得到图(d)中的n(E)对E的曲线（上半部的曲线）。图(d)中阴影区域面积为载流子浓度（上半部阴影区域面积相当于电子浓度，下半部阴影区域面积则为空穴浓度）。 利用: 经过数学推导可得，导带的电子浓度为 其中，NC是导带中的有效态密度。 同理，价带中的空穴浓度为 在室温下（300K），对硅而言NC、NV的数量级为1019cm-3，对砷化镓则为1017～1018cm-3。 其中，NV是价带中的有效态密度。 本征载流子浓度ni：本征半导体，导带中每单位体积的电子数与价带中每单位体积的空穴数相同，即n=p=ni，ni称为本征载流子浓度， 本征费米能级Ei：本征半导体的费米能级EF。 则： 在室温下，上式中的第二项比禁带宽度小得多。因此，本征半导体的费米能级Ei相当靠近禁带的中央。 令 其中，Eg=EC-EV。室温(300K)时，硅的ni为1010cm-3量级，砷化镓的ni为106cm-3量级。上图给出了硅及砷化镓的ni对于温度的变化情形。禁带宽度越大，本征载流子浓度越小；温度越高，本征载流子浓度越大。 即： 最终： 本征载流子浓度ni/cm-3 Si GaAs 所以： 由于 非本征半导体：当半导体被掺入杂质时，半导体变成非本征的，而且引入杂质能级。 施主：一个硅原子被一个带有5个价电子的砷原子所取代（或替补）。此砷原子与4个邻近硅原子形成共价键，而其第5个电子有相当小的束缚能，能在适当温度下被电离成传导电子。通常说此电子被施给了导带。砷原子因此被称为施主。由于带负电载流子增加，硅变成n型半导体。 2.7 施主与受主 ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si ＋5 As ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si 导电电子 受主：当一个带有3个价电子地硼原子取代硅原子时，需要接受一个额外的电子，以在硼原子四周形成4个共价键，也因而在价带中形成一个带正电的空穴。此即为p型半导体，而硼原子则被称为受主。 ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si ＋3 B ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si 空穴 Sb P As Ti C Pt Au O A A D D D 1.12 B Al Ga In Pd Si S Se Sn Te Si C O D 1.12 Be Mg