磁阻效应实验.docVIP

FD-MR-II磁阻效应实验仪使用说明 一、概述 磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测，导航系统、伪钞检测、位置测量等。其中最典型的锑化铟（InSb）GaAs）霍耳传感器测量磁感应强度，研究锑化铟（InSb）磁阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。学生可观测半导体的霍耳效应和磁阻效应两种物理规律，具有研究性和设计性实验的特点，可用于理工科大学的基础物理实验和设计性综合物理实验，也可用于演示实验。 二、仪器简介 仪器装置如下图所示： 1．固定及引线铜管； 2. U型矽钢片； 3．锑化铟（InSb）磁阻传感器； 4. 砷化镓(GaAs)霍耳传感器； 5．电磁铁直流电流源显示； 6. 磁铁直流电流源调节； 7．数字电压显示；　 8. 锑化铟磁阻传感器电流调节； 9．电磁铁磁场强度大小显示； 10. 电磁铁磁场强度大小调零；　 11. 1和2是给锑化铟传感器提供小于3mA直流恒流电流源； 3和4是给砷化镓传感器提供电压源； 5和6是砷化镓传感器测量电磁铁间隙磁感应强度大小； 7为悬空； 12．单刀双向开关；13. 单刀双向开关接线柱。 为