固体中的原子扩散.pptVIP

二、晶体的类型与结构 金属的扩散系数比晶态化合物高 非密堆积结构的扩散系数比密堆积的扩散 系数高 * * 三、晶体缺陷与化学成分 一般点、线、面缺陷均会增大扩散系数。 但个别例外，如间隙溶质原子进入位错中 心或空位中心，会对缺陷产生所谓“钉扎” 效应，使扩散不易通过缺陷进行。 * * * 所以，z应该介于1.8和1.9之间。 注意到：1.9-1.8=0.1 erf(1.9)-erf(1.8)=0.0037 * 故 erf(z)=0.99=0.9891+x(0.00037) 所以：x=2 即 z=1.8+2(0.01)=1.83 * §7.2 扩散的微观机制 一、扩散的机制 主要有间隙机制、空位机制、填隙机制、 换位机制等。参与扩散的可以是原子。也 可是离子。 * * * * 换位机制 * 二、原子热运动与扩散 设间隙原子由位置1运动到位置2，应克服 势垒?Gm=G2-G1。按照经典理论，只有 自由能高于G2的原子才可能发生迁移。 为考察扩散与原子热运动的关系，先考察 相邻两个晶面的物质的迁移关系。 * * * 假设 A、在给定条件下发生扩散的溶质原子跳到其相邻位置的频率（跃迁频率）为? B、任何一次溶质原子的跳动使其从一个晶面I跃迁到相邻晶面II的几率为p C、晶面I和晶面II上的扩散原子的的面密度分别为n1和n2。 * 则在时间间隔?t内、单位面积上由晶面I跃迁到晶 面II上的溶质原子数为： NI?II=n1p??t 则在时间间隔?t内、单位面积上由晶面II跃迁到 晶面I上的溶质原子数为： NII?I=n2p??t * 如n1n2,则单位面积的晶面II所得溶质原子净值为： NI?II—NII?I=n1p??t—n2p??t=J?t J=(n1-n2)p? 式中：J为扩散通量(diffusion flux) * 如相邻两晶面的面间距为a,则晶面的溶质原子的 体积浓度C与溶质原子的面密度n的关系为: * 而晶面II的体积浓度C2与晶面I的体积浓度C1的关系为： 注意x轴与晶面垂直 * 对于三维体扩散，原子沿上、下、左、右、前、 后六个方向迁移的几率一样，则： * 但实际上扩散几率在各方向上并不是一样的，需 要引入一个修正因子f: 对空位扩散机制 对金刚石结构：f=0.5 BCC结构: f=0.72 FCC结构和HCP结构: f=0.78 * a主要由晶格点阵和晶格常数决定，一般为10-10m数量级 跃迁频率?： 这里：?为原子的振动频率 z为扩散原子的邻近位置 P为邻近位置可接纳扩散原子的几率 * 由热力学， ?Gm= ?Hm -T ?Sm 这里 ?Hm为激活焓； ?Sm为激活熵 对于晶体中的间隙扩散，间隙原子相邻的间隙位 置基本上是空的，故P=1 D0为比例系数，又称扩散系数，在方程的有效范围内与温度无关。 * 对于金属晶体或非金属的单质晶体，置换扩散主 要以空位机制进行 设空位浓度为Cv 则有： * 这里 ?Gf = ?Hf -T ?Sf ?Gf为空位形成自由能;?Hf为空位形成焓； ?Sf为空位形成熵。此时， P= Cv * 表明置换扩散的激活能包括了原子跃迁激活能和 空位形成能两部分。 因此，与间隙扩散相比，一般具有更高的扩散激 活能和更低的扩散系数。 * 三、晶态化合物中的扩散 按照热力学的观点，处于让平衡的晶体内部总存 在一定数量的点缺陷；称为本征缺陷。 以本征缺陷为主发生的扩散称为本征扩散。 为保持电中性，晶态化合物中的点缺陷一般是成 对的复合点缺陷 * 如Schottky defect—由一对正负离子空位组成 Frenkel defect—由一个离子空位和一个间隙同类 离子组成 设点缺陷的浓度为Cf 则有 N离子对数；n复合点缺陷对数；?Gf , ?Sf ,?Hf 为复合点缺陷形成自由能、形成熵、形成焓。 * 如扩散以空位机制进行，则 本征扩散系数为： * 本征扩散一般在高纯晶体、高温下才能发生 平时观察到的多为由非本征缺陷控制的非本征扩 散 产生非本征缺陷的方法有—掺杂、非化学计量比 化合物、辐照等 * 非本征扩散系数可表示为： * 一般，非本征扩散具有较低的扩散激活能。 对离子固体，离子是载流子，其扩散系数 与电导率成正比。测量电导率可以确定扩 散系数。 * * §7.3 影响扩散的重要因素 一、温度 Q为激活能 温度越高，扩散系数越大 Arrhenius