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国内外超净高纯氢氟酸需求分析 1 超净高纯氢氟酸用途 电子级氢氟酸主要是作为清洗剂和蚀刻剂用于光伏产业（光伏电池制造）、集成电路（集成电路(IC)和超大规模集成电路(VLSI)芯片制造）和玻璃减薄（液晶显示器件制造）等行业，是关键辅助材料之一。在光伏产业中，用于硅片表面清洗、蚀刻；在集成电路和超大规模集成电路制造中，用于晶圆表面清洗、芯片加工过程的清洗和腐蚀等；在玻璃减薄行业中，用于液晶显示器玻璃基板的清洗、氮化硅及二氧化硅蚀刻等。超净高纯氢氟酸为强酸性清洗、腐蚀剂，可与硝酸、冰醋酸、双氧水、氢氧化铵、氟化铵等配置使用，还可作为分析试剂和制备高纯含氟化学品。 2 国内外超净高纯氢氟酸分类 由于世界超净高纯试剂市场的不断扩大，从事超净高纯试剂研究与生产的厂家及机构也在增多，生产规模不断扩大，但各生产厂家所生产的超净高纯试剂的标准各不相同。为了能够规范世界超净高纯试剂的标准，国际半导体设备与材料组织（SEMI，即Semiconductor Equipment and Materials Intemational）于1975年成立了SEMI化学试剂标准委员会，专门制定超净高纯试剂的国际标准。目前国际SEMI标准化组织将超净高纯试剂按应用范围分为4个等级：(1)SEMI-C1标准(适用于1.2Lm IC工艺技术的制作)；(2)SEMI-C7标准(适用0.8~1.2Lm IC工艺技术的制作)；(3)SEMI-C8标准(适用于0.2~0.6Lm IC工艺技术的制作)；(4)SEMI-C12标准(适用于0.09~0.2Lm IC工艺技术的制作)。SEMI国际标准等级见表1。 表1 SEMI国际标准等级 SEMI标准 C1(Grade1) C7(Grade2) C8(Grade3) C12(Grade4) (Grade5) C11(VLSIGrade) 金属杂质 ≤1ppm ≤10ppb ≤1ppb ≤0.1ppb ≤0.01ppb ≤50ppb 控制粒径/μm ≥1.0 ≥0.5 ≥0.5 ≤0.2 / ≥0.5 颗粒，个/mL ≤25 ≤25 ≤5 / / ≤250 适应范围 适用于＞1.2μmIC技术的制作 适用于0.8-1.2μmIC技术的制作 适用于0.2-0.6μmIC技术的制作 适用于0.09-0.2μmIC技术的制作 适用于＜0.09μmIC技术的制作 适用于0.8-1.2μmIC技术的制作 我国超净高纯试剂的研制起步于20世纪70年代中期，1980年由北京化学试剂研究所(以下简称试剂所)在国内率先研制成功适合中小规模集成电路5Lm技术用的22种MOS级试剂。随着集成电路集成度的不断提高，对超净高纯试剂中的可溶性杂质和固体颗粒的控制越来越严，同时对生产环境、包装方式及包装材质等提出了更高的要求。为了满足我国集成电路发展的需求，国家自“六五”开始至“八五”，将超净高纯试剂的研究开发列入了重点科技攻关计划，并由试剂所承担攻关任务。试剂所已相继推出了BV-Ⅰ级、BV-Ⅱ级和BV-Ⅲ级超净高纯试剂，其中BV-Ⅲ级超净高纯试剂达到国际SEMI-C7标准的水平，适用于0.8~1.2Lm工艺技术(1~4M)的加工制作，并在“九五”末期形成了500t年的中试规模。20世纪初试剂所又进行了用于0.2~0.6Lm工艺技术的BV-Ⅳ级超净高纯试剂的研究开发。 国内目前尚未有统一的行业制造标准，查阅到的国外标准有国际半导体协会标准：SEMI C1.8－1990《氢氟酸标准》，SEMI C7.3－1990《二级氢氟酸标准》，SEMI C7.4－1990《49％二级氢氟酸标准》，往往根据这些标准进行修改采用。因此，各企业产品质量存在很大差别，目前国内企业正在积极推动制定高纯工业品氢氟酸国家标准，根据电子行业用户的实际要求确定适宜的质量要求，推动企业技术创新，规范产品质量，指导企业生产和促进出口。国内有的高纯试剂生产企业拥有自己的企业标准，其中，BV系列标准比较常见，该标准共分为七个等级。如北京化学试剂用的就是BV系列标准，具体见表2。 表2 国内高纯试剂常用规格 品级 尘埃粒径 尘埃粒子数 各金属杂质含量（非金属杂质含量） 适用于半导体IC 低尘埃 5～10μm ＞2700个/100ml - ≥5C MOS级 ≥5μm ≤2700个/100ml ≤500ppb（1ppb） ≥3μm(适合中小规模集成电路5μm技术用) BV—Ⅰ级 ≥2μm ≤300个/100ml 1～ｎ×10ppb ＞2μm(属于标准电子级)（相当于ELSS级） BV—Ⅱ级 ≥2μm ≤200个/100ml 1～ｎ×10ppb ≥1.2μm(属于标准电子级EL级)（相当于ELSSs级） BV—Ⅲ级 ≥0.5μm ≤25个/ml ≤10ppb 0.8～1.2μm