结型场效应晶体管教程分析.pptVIP

第七 章 结型场效应晶体管 讨论主题： 1.场效应晶体管介绍 2.JFET工作原理 3.JFET的直流特性 4.绝缘栅场效应晶体管 1.场效应晶体管介绍 什么是场效应管? 场效应晶体管【Field Effect Transistor缩写(FET)】简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 双极型晶体管和场效应晶体管的异同： 对比双极和FET: 速度,功耗,应用,工艺水平,控制方式(电压/电流). 场效应管的分类: 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类 按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 2.JFET基本原理 3.直流特性 1. PN节空间电荷区宽度和电压关系 2.开始导通和饱和的原理 定义夹断电压: 在源漏电压为0时,使沟道完全闭合的电压 导通栅源阈值电压: 饱和漏源电压: 饱和区 工作条件: 非饱和区 工作条件: 非饱和区电流公式： 饱和电流公式： 最大饱和电流： 从输出特性看几个参数 总结 对比双极晶体管和场效应晶体管 理解JFET的工作原理 掌握JFET工作在不同区域的条件，以及夹断电压的定义 了解JFET的电流公式，饱和电流公式，最大饱和电流公式，最大跨导公式（电阻），以及影响它们的条件 场效应管是利用电场效应来控制半导体中的载流子，使流过半导体内的电流大小随电场强弱的改变而变化的电压控制电流的放大器件。其英文名称为：Metal Oxide Semiconductor Filed Effect Transistor，缩写为MOSFET 场效应管是的外型与晶体管（三极管）相似，但它除了具有三极管的一切优点以外，还具有如下特点： 基本上不需要信号源提供电流 输入阻抗很高（可达109—1015?） 受温度和辐射等外界因素影响小，制造工艺简单、便于集成化等； 只有多数载流子参与导电，所以又称其为单极性晶体管 场效应管的分类 按封装形式分：塑料封装和金属封装 按功率大小分：小功率、中功率和大功率 按频率特性分：低频管、中频管和高频管 按结构特点分：结型（JFET）和绝缘栅型（IGFET） 按导电沟道的不同还可分为：N沟道和P沟道，而绝缘栅型又可细分为N沟道增强型和耗尽型，P沟道增强型和耗尽型两种。 1.UGS=0时，没有导电沟道 绝缘栅场效应管是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。 2.UGSUGS（th）时，出现N沟道 （1）夹断区（截止区） 在一定的UGS下，当UDS增大道一定程度时，漏极电流急剧增加，称为场效应管被击穿。 开启电压UGS（th） 当UDS为某一固定数值时，使沟道将漏、源极连结起来的最小的栅源电压UGS就是开启电压UGS（th）它只适用于增强型场效应管。 　4、绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理 　绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理 栅极 P型硅衬底 源极 漏极 衬底 结构图 它是以—块掺杂浓度较低的P型硅半导体作为衬底、利用扩散的方法在其上形成两个高掺杂的N+型区，同时在P型硅表面生成一层二氧化硅绝缘层。并用 金属导线引出三个电极，分别作为源极(S)、漏极(D)和栅极（G）。 S 源极 B 衬底 D 漏极 G 栅极 符号图 　绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理 　绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理 　绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理 N沟道增强型绝缘栅场效应管结构及符号 它是以—块掺杂浓度较低的P型硅半导体作为衬底、利用扩散的方法在其上形成两个高掺杂的N+型区，同时在P型硅表面生成一层二氧化硅绝缘层。并用 金属导线引出三个电极，分别作为源极(S)、漏极(D)和栅极（G）。 栅极 P型硅衬底 源极 漏极 衬底 结构图 S 源极 B 衬底 D 漏极 G 栅极 符号图 　绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理 N沟道增强型绝缘栅场效应管工作原理 　绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理 当栅源短路(即栅源电压UGS=0时，源区(N+型)、衬底(P型)和漏区(N+型)形成两个背靠背约PN结，不管ED的极性如何，其中总有一个PN结是反偏。如果源极S与衬底相连接地，漏极接电源的正极，那么漏极与衬底之间的PN结果也是反偏的，所以漏源之间没有形成导电沟道，因此漏极电流ID=0(相当于漏源之间的电阻很大)。 　绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理 当栅源之间加反向电压(栅极接正极，源极接负极)，则栅极(铝层)和P型硅片相当于以二氧化硅为介质的平行板电容器，在栅源电压作用下，产生一个垂直于半导体表面