微电子器件教案分析.pptVIP

在用基本方程分析半导体器件时，有两条途径，一条是用计算机求 数值解。这就是通常所说的半导体器件的数值模拟；另一条是求基本方程的 解析解，得到解的封闭形式的表达式。但求解析解是非常困难的。一般需先 对基本方程在一定的近似条件下加以简化后再求解。本课程只讨论第二条途径。 （1-9） （1-10） （1-11） （1-12） （1-13） 1.2 基本方程的简化与应用举例 最重要的简化是三维形式的方程简化为一维形式，得到 在此基础上再根据不同的具体情况还可进行各种不同形式的简化。 例 1.1 对于方程（1-9） （1-14） 在耗尽区中，可假设 p = n = 0 ，又若在 N 型耗尽区中，则还可忽略 NA ，得 　　若在 P 型耗尽区中，则得 例 1.2 对于方程（1-10）， （1-16） 　　当载流子浓度和电场很小而载流子浓度的梯度很大时，则漂移电流密度远小于扩散电流密度，可以忽略漂移电流密度，方程（1-10）简化为 　　反之，则可以忽略扩散电流密度，方程（1-10）简化为 例 1.3 对于方程（1-12）、（1-13）中的净复合率 U ，当作如下假设：(1) 复合中心对电子空穴有相同的俘获截面；(2) 复合中心的能级与本征费米能级相等，则 U 可表为 式中，? 代表载流子寿命， 如果在 P 型区中，且满足小注入条件，则 同理，在 N 型区中， 于是得 （1-18） （1-19） （1-17） 例 1.4 将电子的扩散电流密度方程 (1-16) 同理可得 空穴的扩散方程， （1-23） （1-21） 代入电子的连续性方程 (1-12) 设 Dn为常数，再将 Un 的表达式代入，可得 电子的扩散方程， 例 1.5 对于泊松方程的积分形式(1-6)， （1-25） 也可对积分形式的基本方程进行简化。 在 N 型耗尽区中可简化为 式中， ，分别代表体积 V 内的电子总电荷量和非平衡电子总电荷量。 例 1.6 对于方程(1-7) （1-7） 将电子净复合率 Un 的方程(1-18)代入， 并经积分后得 （1-26） 定态时， ，上式可再简化为 （1-27） 方程（1-26）~（1-29）是电荷控制模型中的常用公式 ，只是具体形式或符号视不同情况而可能有所不同 。 同理，对于 N 型区中的少子空穴， 定态时， （1-29） （1-28） 分析半导体器件时，应先将整个器件分为若干个区，然后在各个区中视具体情况对基本方程做相应的简化后进行求解 。求解微分方程时还需要给出 边界条件。扩散方程的边界条件为边界上的少子浓度与外加电压之间的关系。于是就可以将外加电压作为已知量，求解出各个区中的少子浓度分布、少子浓度梯度分布、电场分布、电势分布、电流密度分布等，最终求得器件的各个端电流。 微 电 子 器 件 电子科技大学 微电子与固体电子学院 任 敏 总学时：72 学时 其中课堂讲授 60 学时，实验 12 学时 成绩构成： 期末考试 70 分、期中考试 10 分、平时成绩10分、实验 10 分 期末闭卷考试！！！ 本课程的主要内容是什么？ 为什么要学习本课程？ 怎样学好本课程？ 半导体物理 微电子器件 微电子工艺 Process 新型器件 New devices RD 器件建模 CAD 集成电路设计 IC design 量子力学 固体物理 统计力学 1.重视物理概念的理解 2.先定性，后定量；勤思考，勤推导 3.理论联系实际，跟踪微电子发展最新动态 本课程的主要内容与要求？ 怎样学好本课程？ 1.掌握三类基本器件的原理 2.掌握器件分析的方法 3.建立基本的工程概念 参考教材： 1）《半导体器件电子学》 ? (美) R.M.Warner????B.L.Grung??? 译者：?吕长志 ?冯士维 ?张万荣 出版社：电子工业出版社 2）《半导体器件基础》 (美)安德森 译者：邓宁 田立林 任敏 ? ?出版社：清华大学出版社 3）《半导体器件物理》 （美）施敏 (S.M.SZE)? ?伍国珏 (KWOK K.NG)? ?译者：耿莉? ?张瑞智