1-2013磁敏传感器(第7讲和第8讲)资料.ppt

* 这是由于在交变磁场作用下，元件与导体一样会在其内部产生涡流的缘故。图2.6-8所示为涡流的分布情况。由于元件电流极的短路作用，涡流可分解成上、下两部分，即大小相等而方向相反的电流流动（见图），该涡流的频率与外加磁场频率相同，相移为π/2。 图2.6-9 控制电流周围磁场引起的霍耳效应 图2.6-8 交变磁场作用下霍耳器件的涡流分布 涡流的存在会影响霍耳输出，这是因为：一方面涡流本身可感应出附加磁场作用于器件上（其频率与原磁场的相同，但相移为π/2），该磁场与控制电流作用产生一个附加的霍耳电势（与原霍耳电势同频，但相移π/2）；另一方面，如果器件被置于具有狭气隙的导磁材料中，由本身控制电流引起的感应磁场，也要对涡流产生霍耳作用（如图2.6-9所示），使涡流上、下两部分的霍耳效应互相增强，结果也产生一附加霍耳电势（其频率与原磁场相同，并叠加到总霍耳电势上）。由于上述电、磁相互作用，必然使总的霍耳电势增加。 * 霍耳开关集成传感器的原理及工作过程可简述如下：当有磁场作用在传感器上时，根据霍耳效应原理，霍耳元件输出霍耳电压VH，该电压经放大器放大后，送至施密特整形电路。当放大后的VH电压大于“开启”阈值时，施密特整形电路翻转，输出高电平，使半导体管V导通，且具有吸收电流的负载能力，这种状态我们称它为开状态。当磁场减弱时，霍耳元件输出的VH电压很小，经放大器放大后其值也小于施密特整形电路的“关闭”阈值，施密特整形器再次翻转，输出低电平，使半导体管V截止，这种状态我们称它为关状态。这样，一次磁场强度的变化，就使传感器完成了一次开关动作。。 * 霍耳开关集成传感器的工作特性曲线，反映了外加磁场与传感器输出电平的关系。当外加磁感应强度高于BOP时，输出电平由高变低，传感器处于开状态。当外加磁感应强度低于BRP时，输出电平由低变高，传感器处于关状态。 霍耳开关集成传感器是一种双稳态型传感器，又称为锁键型传感器。它的工作特性曲线如图2.6-12所示。当外加磁感应强度超过工作点时，其输出为导通状态。而在磁场撤消后，输出仍保持不变，必须施加反向磁场并使之超过释放点，才能使其关断。 * 霍耳磁敏传感器被放在待测磁场中，器件的控制电流由电池E供给，调节电位器W来控制电流保持不变，这时的霍耳输出就反映了磁场的大小。霍耳输出用电流表或电位差计指示。控制电流可藉直流电或交流电获得。用交流时，对于恒定磁场的霍耳输出亦为交流并便于放大同时温差电势的影响亦可略去不计。 倘使磁场方向不知道，用霍耳器件测量也很方便。若霍耳器件平面的垂线与磁场的方向线成角斜交，则器件的霍耳电势应为： * 使用锰游合金制成的集束器（棒长为200mm，直径为11mm，气隙为0.3mm），可将磁场增强400倍；如果使用InSb的霍耳器件，并将集束器放在液氮或液氦中，则可以测出低达10-13T的磁场。 * （1）磁敏二极管的结构 这种二级管的结构是P+—i—N+型。在本征导电的高纯度锗两端，用合金法制成P区和N区，并在本征区—i区的一个侧面上，设置高复合区（r区），而与r区相对的另一侧面，保持为光滑无复合表面。这就构成了磁敏二极管的管芯，其结构如图2.6-27所示。 * （1）磁敏二极管的结构 这种二级管的结构是P+—i—N+型。在本征导电的高纯度锗两端，用合金法制成P区和N区，并在本征区—i区的一个侧面上，设置高复合区（r区），而与r区相对的另一侧面，保持为光滑无复合表面。这就构成了磁敏二极管的管芯，其结构如图2.6-27所示。 * 由图可见；单个使用时，正向磁灵敏度大于反向磁灵敏度；互补使用时，正向特性曲线与反向特性曲线基本对称。磁场强度增加时，曲线有饱和趋势；但在弱磁场下，曲线有较好的线性。 * （2）磁敏三极管的工作原理 当不受磁场作用如图2.6-34(a)时，由于磁敏三极管的基区宽度大于载流子有效扩散长度，因而注入的载流子除少部分输人到集电极c外，大部分通过e—i—b而形成基极电流。显而易见，基极电流大于集电极电流。所以，电流放大系数=I0／Ib＜1。当受到H＋磁场作用如图2.6-34（b）时，由于洛仑兹力作用，载流子向发射结一侧偏转，从而使集电极电流明显下降。 当受磁场使用如图2.6-34(c)时，载流子在洛仑兹力作用下，向集电结一侧偏转，使集电极电流增大。 * AAA 由图2.6-35可见，磁敏三极管的基极电流Ib和电流放大系数均具有磁灵敏度，并且磁敏三极管电流放大系数总小于1。 由图可见硅磁敏二极管的伏安特性有两种形式。一种如图2.6-29（b）所示，开始在较大偏压范围内，电流变化比较平坦，随外加偏压的增加，电流逐渐增加；此后，伏安特性曲线上升很快，表现出其动态电阻比较小。另一种如图2.6-29(c)所示。硅磁敏二极管的伏安特性曲线