03-第三章存储系统资料.ppt

3.1.1 存储器的分类 ㈠ 按其存取方式分类 3.1.1 存储器的分类 ㈡ 按其存取介质分类 3.1.1 存储器的分类 ㈢ 按作用分类 主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制存储器。 ㈣ 按存储器的读写功能分类 只能读出不能写入的只读存储器 既能读出又能写入的随机读写存储器 ㈤ 按信息的可保存性分类 磁性材料做成的存储器——永久性存储器 半导体读写存储器RAM——非永久性存储器 3.1.2 存储系统的层次结构 高速缓冲存储器、主存储器和外存储器构成的多级存储器体系结构。 3.1.2 存储系统的层次结构 寄存器：制作在 CPU 芯片内，其中的数直接 在 CPU 内部参与运算。 cache：高速存取指令和数据。 主存：存放运行期间的大量程序和数据。 外存：大容量辅助存储器，用来存放系统程 序和大型数据文件及数据库。 cache强调快速存取 外存强调大存储容量 主存要求选取适当的存储容量和存取周期，使它能容纳系统的核心软件和较多的程序。 3.1.3 并行存储器 ㈠ 并行访问存储器 设置多个独立的存储器，让它们并行工作，在一个存储周期内可以访问到多个数据。 3.1.3 并行存储器 ㈡ 交叉访问存储器 地址码高位交叉存储器： 3.1.3 并行存储器 地址码低位交叉存储器： 3.1.3 并行存储器 一个存储器周期内，n个存储体须分时启动： 3.1.3 并行存储器 如果每个存储体的访问周期为Tm，则由n个存储体构成的主存储器，各存储体的启动间隔t为： 3.2 半导体存储器 3.2.1 半导体存储器存储原理 ㈠ 双极型存储单元与存储原理 3.2.1 半导体存储器存储原理 ⒉ TTL型存储器芯片举例 （SN74189） 3.2.1 半导体存储器存储原理 ㈡ 静态MOS存储单元存储原理 ⒈ 静态MOS存储单元电路 3.2.1 半导体存储器存储原理 ⑶ 工作 Z：加高电平，T5、T6导通，选中该单元。 写入：在W、W上分别加高、低电平，写1/0。 读出：根据W、W上有无电流，读1/0。 ⑷ 保持 Z：加低电平，只要电源正常，保证向导通管提供电流，便能维持一管导通，另一管截止的状态不变，∴称静态。 静态单元是非破坏性读出，读出后不需重写。 3.2.1 半导体存储器存储原理 ⒉ 静态MOS存储芯片举例 （Intel 2114） 3.2.1 半导体存储器存储原理 ⒊ 读写时序 3.2.1 半导体存储器存储原理 写周期： 3.2.1 半导体存储器存储原理 ㈢ 动态MOS存储单元与芯片 基本存储原理： 存储信息以电荷形式存于电容上，通常定义电容充电至高电平，为1；放电至低电平，为0。 3.2.1 半导体存储器存储原理 ⒈ 单管动态存储单元 3.2.1 半导体存储器存储原理 ⑶ 工作 写入：Z加高电平，T导通。W加高/低电平，写1/0 读出：W预充电，断开充电回路。 Z加高电平，T导通，根据W线电位的变化，读1/0。 ⑷ 保持 Z：加低电平，T截止，该单元未选中，保持原状态 单管单元是破坏性读出，读出后需重写。 3.2.1 半导体存储器存储原理 ⒉ 动态存储器的刷新 先将原存信息读出，再由刷新放大器形成原信息并重新写入的再生过程。 一般取最大刷新间隔为2ms，此段时间为刷新周期或叫再生周期。在此周期内，由专门的刷新电路来完成对基本单元电路的逐行刷新。 3.2.1 半导体存储器存储原理 ⑴ 集中刷新 在一个周期内对全部单元2ms内集中逐行刷新，此时停止读/写。 缺点：存在64μs的死区。 3.2.1 半导体存储器存储原理 ⑵ 分散刷新 各刷新分散安排在各个存取周期中，前一段用于读/写，后一段用于刷新。 缺点：访问一个单元时间太长。 3.2.1 半导体存储器存储原理 ⑶ 异步刷新 各存储单元刷新分散安排在2ms内，每隔一段时间刷新一行。 3.2.1 半导体存储器存储原理 ㈣ 半导体只读存储器 存入数据的过程，称为对ROM进行编程。根据编程方法不同，ROM通常分为以下三类： 3.2.1 半导体存储器存储原理 ㈤ 闪速存储器 各类存储器的读出操作性能比较 3.2.1 半导体存储器存储原理 ⒈ 闪速存储器 特点： 3.2.1 半导体存储器存储原理 ⒉ 闪速存储器的逻辑结构（28F256A） 3.2.1 半导体存储器存储原理 存储容量：256K（32K×8）位。 外部引脚： 地址总线15位：A0～A14； 双向数据总线8位：DQ0～DQ7； 控制总线：包括片选信号、输出允许信号和写命令信号； 对器件供电的VCC（+5V）； 擦除/