11第14章二极管及应用资料.pptVIP

第14章 半导体二极管和晶体管 本征半导体: 2.本征半导体的晶体结构 3.本征半导体中的两种载流子 14.1.2 N 型半导体和P 型半导体 基本概念练习： 14.2 PN结 14.3 半导体二极管 14.3.3 二极管的主要参数 二极管电路分析方法 14.5 晶体三极管（BJT—双结晶体管） 14.5.1 晶体管的 基本结构及类型 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 14.5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 （2）截止区 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数 ，? 2. 极间反向电流 3. 极限参数： 本章结束 举例： 举例 举例： 例 特点:非线性 死区 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O 线性区 非线性区 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时的UBE ： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 ●在放大区的特点： IC=?IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 ●工作在放大区的条件：E结正向偏、C结反偏。 放大区 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 截止区 ●截止区的特点： IB ≤0 ，IC ? 0 。 ●工作在截止区的条件： E结反偏(UBE死区电压）， C结反偏。 （3）饱和区 ●饱和的特点：UCE? UBE，?IB ?IC， ● 深度饱和时的UCE称为饱和压降，记为UCES 。 硅管UCES ? 0.3V，锗管UCES ? 0.1V。 ●工作在饱和区的条件： E结正偏，C结正偏。 饱和区 测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。 放大 截止 饱和 - + 正偏 反偏 - + + - 正偏 反偏 + - 放大VcVbVe 放大VcVbVe 发射结和集电结均为反偏。 发射结和集电结均为正偏。 例1： 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成共发射极电路时， 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 Q1 Q2 在 Q1 点，有 由 Q1 和Q2点，得 (1).集-基极反向截止电流 ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICBO ?A + – EC (2).集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ?A ICEO IB=0 + – ICEO受温度的影响大。 温度??ICEO?，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 (1). 集电极最大允许电流 ICM (2). 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 集电极电流 IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。 当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR) CEO。 (3). 集电极最大允许耗散功耗PCM PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。 PC ? PCM =IC UCE 硅管允许结温约为150?C，锗管约为70?90?C。 ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 由三个极限参数可画出三极管的安全工作区 IC UCE O 输出特性三个区域的特点: (1) 放大区： E结正偏，C结反偏， IC=?IB , 且 ?IC = ? ?IB (2) 饱和区： E结正偏，C结正偏 ， 即UCE?UBE ， ?IBIC， UCE?0.3V (硅管）， UCE?0.1V (锗管） (3) 截止区： U