半导体第十八讲集成电路物理器件教程分析.pptVIP

器件缩小原理 为了增加IC内电子器件的密度，必须将器件的尺寸缩小，而缩小器件的基本要求是保持原来器件所拥有的特性。 最佳方法是利用一个比例因子K（1）来减小所有尺寸和电压，以保持长沟道的特性，如此所得到的内部电场将会与长沟道MOSFET器件的内部电场相同，其新的器件尺寸将为 器件其他参数也相应的必须发生改变： 器件缩小K倍，电流密度将增加K倍，为了避免导线产生迁移现象，设计时候，电流密度必须小于105A/cm2 纳米MOSFET器件中的载流子输运模型及其特征 半导体器件的特征尺寸一直按照摩尔定律缩小，每三年半导体芯片的集成度增长一倍。预测，一个芯片上可以集成万亿晶体管。 要求晶体管的尺寸进一步缩小到纳米量级。 迈恩德尔 新颖的MOSFET器件如图2-40 经典的半导体运输特征指出，载流子的输运特征可以用玻尔兹曼（BTE）来描述，但是求解困难。 为了方便求解，进而发展的 1、漂移扩散模型（DDM）（载流子的运动只与定域电场有关，适用于微米级别） 2、流体动力学模型（HDM） 3、玻尔兹曼模型（BTM） （微米以下级别适用） 载流子的输运特征的表征 纳米尺寸逐步缩小时，小尺寸的电导有很大起伏，这时候需要用到QTM（全量子输运模型）处理器的特征输运问题。 对于小尺寸MOSFET器件，为了防止源漏极穿透，