比较全的模电复试题(一到九章,不含判断题).doc

d一、选择题 1.晶体管能够放大的内部条件是（a ） A两个背靠背的PN结 B空穴和电子都参与了导电 C有三个掺杂浓度不一样的发区域 Ddd射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，并且基区很薄，集电结面积比发射结大 2.晶体管能够放大的外部条件是（ ） A发射结正偏，集电结正偏 B发射结正偏，集电结反偏 C发射结反偏，集电结正偏 D发，集电结反偏 3.在一个由NPN型晶体管构成的放大电路中，关于晶体管三个电极的电位，下列说法正确的是（ ） A集电极电位一定最高 B集电极电位一定最低 C发射极电位一定最高 D基极电位一定最低 4.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的（ ） A输出功率 B交流参数 C静态工作点 D交流和直流参数 5.放大器产生零点漂移的主要原因是（ ） A电路增益太大 B电路采用了直接耦合方式 C电路采用了变压器耦合 D电路参数随坏境温度的变化而变化 6. 场效应管的漏极电流是由_________的漂移运动形成。 少子 多子 两种载流子. 场效应管是利用外加电压产生的_________来控制漏极电流的大小的。 电流 电场 电压．当场效应管的漏极直流电流ID从1mA变为2mA时，它的低频跨导将_________。 增大 减小 不变．当ugs=0时， 不能够工作在恒流区的场效应管是_________。 结型 增强型MOS管 耗尽型MOS管 A.①管脚为发射极，②管脚为基极，③管脚为集电极； B.①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极； C.①管脚为集电极，②管脚为基极，③管脚为发射极； D. ①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极。 12.在共射基本放大电路中，集电极电阻RC的作用是（ ）。 A.放大电流 B.调节IBQ C.防止输出信号交流对地短，把放大了的电流转换成电压。 13. 在共射基本放大电路中，当用直流电压表测得UCE≈VCC(截止状态），有可能是因为（ ）；当测得UCE≈0（饱和状态），有可能是因为（ ） A. Rb开路 B. Rb过小 C. Rc开路 14.为了使高阻输出的放大电路与低阻输入的放大负载很好地配合，可以在放大电与路负载之间插入（ ）。 A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 15.UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 16.当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。 A.增大 B.不变 C.减小 17.自给偏压偏置方式不适用于（）。 A.耗尽型MOS管 B.结型场效应管 C.绝缘栅型场效应管 18.场效应管可以结成哪种基本放大电路（）。 A.共发射极 B.共栅极 C.共基极 19.场效应管（）放大电路没有电压放大能力。 A.共源极 B.共漏极 C.共栅极 20.为增大电压放大倍数，集成运放中间级多采用_______。 A.共射放大电路B.共集放大电路C.共基放大电路D.共源极放大电路 21.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以______。? A.减小温漂B.增大放大倍数?C.提高输入电阻 D.减小输入电阻 22.两个相同类型的晶体管构成的复合管的β和rbe分别为?______。? A. β≈β1β2 rbe=rbe1＋β≈β1 ，rbe=rbe1 ? C. β≈β1β2 rbe=rbe1＋＋β＋＋β.集成运算放大器是（） A.直接耦合多级放大器 B.阻容耦合多级放大器 C.变压器耦合多级放大器 26.集成运算放大器的共模抑制比越大，表示（） A.差模信号放大倍数越大； B.带负载能力越强 ； C.抑制零点漂移的能力越强 27.集成运放有（） A.一个输入端，一个输出端；B.一个输入端，两个输出端； C.二个输入端，一个输出端；D.二个输入端，二个输出端。 28.为增大电压放大倍数，集成运放中间级采用（） A.共射放大电路；B.共集放大电路；C.共基放大电路。 29.差分放大电路的作用是（） A.放大差模信号，抑制共模信号;B放大共模信号，抑制差模信号 C.放大差模信号和共模信号; D.差模信号和共模信号都不放大 30、放大电路中有反馈的含义是（ ）。 A、输入与输出之间有信号通路 B、电路中存在反向传输的信号通路 C、除放大电路以外还有信号通道 D、输出与输入信号成非线性关系 31、串联负反馈能使电路的（ ）。 A、输人电阻增大B、输人电