第七章电磁式传感器分析报告.pptVIP

磁电式传感器 定义：通过磁电作用，将被测量的变化转变为电信号的传感器。 分类： 磁电感应式传感器：利用法拉第电磁感应定律，测量磁场和位置速度等 霍尔式传感器：利用霍尔效应，测量磁场、位置、速度、电压、电流等 磁敏传感器：利用磁阻效应，测量转速、磁通、电流、流量等 7.1 磁电感应式传感器 　　磁电感应式传感器简称感应式传感器，根据电磁感应原理，利用导体和磁场发生相对运动而在导体两端输出感应电动势即将运动速度转换成感应电势输出。是典型的无源传感器。反向使用时可构成力发生器或电磁激振器，称为电动式传感器。 优点：一种机-电能量变换型传感器，不需要供电电源，电路简单，性能稳定，输出阻抗小，又具有一定的频率响应范围（一般为10～1000Hz），只适用于振动、转速、扭矩等动态测量。 缺点：尺寸和重量都较大。 7.1.1 工作原理和结构类型 　　磁电感应式传感器是以电磁感应原理为基础的。根据法拉第电磁感应定律可知，N匝线圈在磁场中运动切割磁力线或线圈所在磁场的磁通变化时，线圈中所产生的感应电动势e的大小取决于穿过线圈的磁通Φ的变化率，即 下图所示为动圈式磁电感应式传感器的结构原理图。当线圈在垂直于磁场方向作直线运动或旋转运动时，若以线圈相对磁场运动的速度v或角速度ω表示，则所产生的感应电动势e为 在传感器中当结构参数确定后，B、l、N、S均为定值，感应电动势e与线圈相对磁场的运动速度(v或ω)成正比，所以这类传感器的基本形式是速度传感器，能直接测量线速度或角速度。如果在其测量电路中接入积分电路或微分电路，那么还可以用来测量位移或加速度。但由上述工作原理可知，磁电感应式传感器只适用于动态测量。 7.1.5磁电式传感器的应用举例 7.2 霍尔传感器 7.2 .1霍尔效应与霍尔元件 1 霍尔效应 半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I 流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH，这种现象称为霍尔效应。 磁感应强度B 较大时的情况 作用在半导体薄片上的磁场强度B越强，霍尔电势也就越高。霍尔电势UH可用下式表示： UH=KH（霍尔常数） IB 霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，直至在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起稳定的霍尔电势。 磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势 若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法线成某一角度? 时，实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分量，即Bcos?，这时的霍尔电势为 UH=KHIBcos? 当RH ，d一定时，即载流材料和几何尺寸一定时，霍尔电势∝电流I（磁场B一定时）或∝磁场B（电流I一定时），所以霍尔传感器可以用来测量磁场或检测电流。 优点：霍尔元件使用寿命长、可靠性高、结构简单，外围电路简单、体积小、动态特性好、频带宽、易微型化集成化 。因而在很多领域得到了广泛的应用。 缺点：转换效率低，受温度影响大。 霍尔集成电路可分为线性型和开关型两大类。 开关型霍尔集成电路 开关型霍尔集成电路将霍尔元件、稳压电路、放大器、施密特触发器、OC门（集电极开路输出门）等电路做在同一个芯片上。特点是输出电压为高低电平两种状态。当外加磁场强度超过规定的工作点时，OC门由高阻态变为导通状态，输出变为低电平；当外加磁场强度低于释放点时，OC门重新变为高阻态，输出高电平。较典型的开关型霍尔器件如CS系列和UGN3020等。可做成无触点、无抖动、高可靠、长寿命的接近开关或按键开关，广泛用于计数装置以及汽车点火等系统。 7.2.4霍尔传感器的应用 霍尔元件 霍尔转速表 在被测转速的转轴上安装一个齿盘，也可选取机械系统中的一个齿轮，将线性型霍尔器件及磁路系统靠近齿盘。齿盘的转动使磁路的磁阻随气隙的改变而周期性地变化，霍尔器件输出的微小脉冲信号经隔直、放大、整形后可以确定被测物的转速。 霍尔转速表原理 当齿对准霍尔元件时，磁力线集中穿过霍尔元件，可产生较大的霍尔电动势，放大、整形后输出高电平；反之，当齿轮的空挡对准霍尔元件时，输出为低电平。 霍尔转速传感器在汽车防抱死装置（ABS）中的应用 若汽车在刹车时车轮被抱死，将产生危险。用霍尔转速传感器来检测车轮的转动状态有助于控制刹车力的大小。 霍尔式无触点汽车电子点火装置 采用霍尔式无触点电子点火装置能较好地克服汽车合金触点点火时间不准确