第4章-传感器原理3解析：.pptVIP

4.7 霍尔氏传感器一. 霍尔效应 二. 霍尔元件及基本电路 霍尔元件一般是半导体材料制成。其电阻率高，载流子迁移率大，霍尔系数很大。其基本电路如图所示， 图中电源E 是供给元件的激励电流，可调电阻R用来调节激励电流的大小，Rf 为霍尔电势输出端的负载电阻，通常它是放大器或记录仪表的输入阻抗。 三. 霍尔元件的误差及其补偿 1. 温度误差及其补偿 霍尔元件由半导体制成，因半导体对温度很敏感，霍尔元件的载流子迁移率，电阻率和霍尔系数都随温度而变化，导致霍尔传感器产生温度误差。 霍尔元件的温度误差可采用多种方法进行补偿，最常用的方法是采用恒流源激励。此电路的温度补偿效果取决于并联电阻R值的选择。 2.??不等位电势及其补偿 霍尔元件在额定激励电流作用下，不加外磁场时霍尔电极间的空载电势称为不等位电势。 产生不等位电势的原因是由于在制作霍尔元件时，两个霍尔电极没有完全对称地焊在霍尔元件两侧，或霍尔元件材料的电阻率不均匀，基片宽度，厚度不一致；或激励电流极与基片的端面接触不良。以上原因引起的不等位电势要完全消除是很困难的，可通过补偿措施使不等位电势减小到一定程度，一般要求不等位电势u0要小于1mV。 在进行不等位电势补偿时，是把霍尔元件看成一个电桥，不等位电势就相当于电桥的不平衡输出，因此凡是能使电桥达到平衡的方法都可以补偿不等位电势。 四、霍尔元件的特点 由于结构简单，体积小，频带宽，动态特性好，寿命长等优点，在自动化技术，检测技术，和信息处理技术等方面有着广泛的应用，用于测量位移，压力，力，加速度，振动，转速等参数。 1.??位移测量 2.??压力测量 * * 4.5 压电式传感器 1.变换原理:压电效应 压电式传感器的工作原理是以某些物质的压电效应为基础的。压电效应：物质在机械力作用下发生变形时，内部产生极化现象，在其表面上产生符号相反的电荷，去掉外力时电荷立即消失。 第四章 传感器测量原理与测量电路 极化强度：由于压电效应而产生的电荷的密度。Px,Py 沿电轴(X轴)方向的作用力)产生的压电效应---纵向压电效应 把沿机械轴(Y轴)方向的作用力产生的压电效应---横向压电效应 沿光轴(Z轴)方向的作用力不产生压电效应 石英晶体切片（六角棱柱）： X轴：电轴（通过棱角） Y轴：机械轴（垂直棱面） Z轴：光轴（垂直于六边形） 纵向压电效应和横向压电效应：电荷方向相反 极化强度：由于压电效应而产生的电荷的密度。Px,Py 晶片的长、宽、厚分别为l、w、t d11 、d12分别为纵向压电系数和横向压电系数 结论： 对纵向压电效应，晶面产生的电荷与作用力成正比，而与晶片的几何尺寸无关。 对横向压电效应，晶面产生的电荷不仅与作用力成正比，而且与晶片几何尺寸有关 在压电晶片的两个工作面上进行金属蒸镀，形成金属膜，构成两个电极 可以看作是一个电荷发生器，也可以看成是一个电容器。 若要测得力值F，主要问题是如何测得电荷值。 注意： 利用压电式传感器测量静态或准静态量值时，必须采取一定的措施，使电荷从压电晶片上经测量电路的漏失减小到足够小程度。 在动态力作用下，电荷可以得到不断补充，可以供给测量电路一定的电流，故压电传感器适宜作动态测量 压电材料 分为压电晶体和压电陶瓷 居里点：压电材料失去压电特性时的临界温度。 1 压电晶体 1）石英晶体： 化学成分：二氧化硅 温度稳定性好 居里点为573℃ 压电系数比较小 2）水溶性压电晶体 化学成分：酒石酸钾钠 压电系数很大（1000倍） 机械强度低 居里点低，容易受潮 压电材料 2 压电陶瓷 压电陶瓷是由多种材料烧制而成的，本身并没有压电效应，需用强电场对其进行极化处理后其才有压电效应。 1）钛酸钡压电陶瓷 较高的压电系数（50） 抗湿性能较好 居里点低（120℃） 温度稳定性也较差 2）锆钛酸铅压电陶瓷 压电系数较高（100） 居里点310℃ 等效电路和测量电路 压电晶体的绝缘电阻很高，表面有电荷，可视为电容器。 等效电路：1）电荷等效电路 2）电压等效电路 在使用压电式传感器时，它是与测量仪器配合一起使用的，此时必须考虑连接电缆电容Cc，放大器输入电容Ci和输入电阻Ri ，再加上传感器本身的电容Ca 和泄漏电阻Ra，则完整的等效电路如图所示。 根据传感器的工作原理和等效电路，它的输出可以是电压信号，也可以使电荷信号，因此放大器分别有电压放大器和电荷放大器两种。 压电式传感器的输出电信号很微弱，通常先把传感器信号先输入到高输入阻抗的前置放大器中，经过阻抗交换以后，方可用一般的放大检波电路再将信号输入到指示仪表或记录器中。 前置放大器的作用有两点：其一是将传感器的高阻