稳压管和三极管教案分析.pptVIP

§ 1-4 稳 压 管 差别： 1、反向击穿曲线较陡 3、稳压管工作在反向击穿区 DZ 2、反向击穿是可逆的 主要参数： 1、稳定电压UZ 4、最大耗散功率PZM= UZ Izmax 5、动态电阻 2、稳定电流IZ 3、最大稳定电流Izmax ①正向接法（同普通二极管） 折线化的伏安特性 ②反向接法 折线化的伏安特性 例：已知UZ=5V， UD=0.6V，求U0=？ ①Ui=10V ②Ui=-10V ③Ui=4V ④ 例：已知UZ=5V， UD=0.6V，求U0=？ ①Ui=10V ②Ui=-10V ③Ui=4V ④ 利用稳压管和普通二极管的正向压降，是否可以稳压？ 折线化的伏安特性 一、基本结构 § 1-5 半 导 体 三 极 管 C B E C B E T NPN型 C B E C B E T PNP型 二、电流分配 共发射极接法 EB：发射结正偏 EC：集电结反偏 （EC EB） e区：向基区扩散电子 b区：电子扩散、复合 c区：收集电子 IB IE B C E RB EB RC EC N N P B C E RB EB RC EC N N P IB IE 三、特性曲线（以NPN管为例） 1、输入特性曲线 2、输出特性曲线 四、主要参数 2、极间反向电流ICBO，ICEO（反映管子温度稳定性） 1、电流放大系数 （反映放大能力） 3、极限参数ICM，U（BR）CEO，PCM （决定三极管的工作区域） 例：已知三极管工作于放大区，测得三极管各极的电位分别如下，试判断各三极管的类型、材料、电极 ①=2V ②=2.6V ③=6V ①=2.2V ②=5.4V ③=6V ①=-4V ②=-1.2V ③=-1.5V B C E B C E VCVBVE VE VB VC UBE0 UCE0 UBE0 UCE0 1、晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。 (a)发射结反偏，集电结正偏 (b)发射结、集电结均反偏 (c)发射结、集电结均正偏 2、工作在饱和状态的PNP型晶体管，其三个极的电位应为（ ）。 (a) VEVB，VCVB，VEVC (b) VEVB ， VC VB ， VE VC (c)??VB VE， VB VC ， VE VC Note : 公司与实验室产品的交叉 强调两位一体等 Note : 公司与实验室产品的交叉 强调两位一体等 Note : 公司与实验室产品的交叉 强调两位一体等 Note : 公司与实验室产品的交叉 强调两位一体等 Note : 公司与实验室产品的交叉 强调两位一体等 Note : 公司与实验室产品的交叉 强调两位一体等 Note : 公司与实验室产品的交叉 强调两位一体等 Note : 公司与实验室产品的交叉 强调两位一体等 Note : 公司与实验室产品的交叉 强调两位一体等 Note : 公司与实验室产品的交叉 强调两位一体等 * * * *