数电第二章教案分析.pptVIP

2、二极管的动态特性 反向恢复时间一般在纳秒数量级。 1. BJT的三种工作状态 NPN 型 BJT 截止、放大、饱和三种工作状态的特点 2. BJT开关的动态特性 1 . 二极管与门电路 1 二极管与门电路 2.2.3 TTL与非门的电压传输特性及抗干扰能力 1.74系列---标准TTL系列，属中速TTL器件，其平均传输延迟时间 约为10ns，平均功耗约为10mW／每门。 2.3.4 CMOS门电路的系列及主要参数 1．CMOS逻辑门电路的系列 2．CMOS逻辑门电路的主要参数 2.3.5 集成逻辑门电路的应用 3 抗干扰措施 本章小结 1. 在数字电路中，半导体二极管、三极管一般都工作在开关状态，即工作于导通（饱和）和截止两个对立的状态，来表示逻辑1和逻辑0。 2．目前普遍使用的数字集成电路主要有两大类，一类由NPN型三极管组成，简称TTL集成电路；另一类由MOSFET构成，简称MOS集成电路。 4．TTL集成逻辑门电路的输入级采用多发射极三级管、输出级采用达林顿结构，这不仅提高了门电路的开关速度，也使电路有较强的驱动负载的能力。 5．在TTL系列中，还有集电极开路门和三态门，它们能够实现线与，还可用来驱动需要一定功率的负载。三态门还可用来实现总线结构。 6．MOS集成电路与TTL门电路相比，它的优点是功耗低，扇出数大(指带同类门负载)，噪声容限大，开关速度与TTL接近，已成为数字集成电路的发展方向。 7．为了更好地使用数字集成芯片，应熟悉TTL和CMOS各个系列产品的外部电气特性及主要参数，还应能正确处理多余输入端，能正确解决不同类型电路间的接口问题及抗干扰问题。 2、NMOS与非门 当A、B中有一个或两个均为低电平时，T1、T2有一个或两个都截止，输出为高电平 只有A、B全为高电平时，T1、T2均导通，输出为低电平 T1、 T2为工作管， T3为负载管 B L T3 T2 +VDD A T1 L= AB 3、NMOS或非门 当A、B中有一个为高电平时，T1、 T2 有一个导通，输出0 A、B都为低电平时，T1、T2均截止， 输出为1 即 L= A+B T1、 T2为工作管， T3为负载管 因为T1、T2是并联的，要想增加输入端的个数时不会引起输出低电平的变化。这给制造多输入端的或非门带来方便。 L +VDD B T3 T2 A T1 V DD T P T N v O v I 2.3.2 CMOS非门 电路 V DD T P T N v O v I 当vI = 0 V时 VDD 1. CMOS反相器的工作原理 VGSN =0 ＜ VTN TN管截止； |VGSP|=VDD＞VTP 电路中电流近似为零（忽略TN的截止漏电流）,VDD主要降落在TN上，输出为高电平VOH TP管导通。 ≈VDD V DD T P T N v O v I 当vI =VOH= VDD时 VGSN =VDD VTN TN管导通； |VGSP|= 0 VTP TP管截止。 此时，VDD主要降在TP管上，输出为高电平VOL 在电容负载情况下，它的开通时间与关闭时间是相等的，这是因为电路具有互补对称的性质。 平均延迟时间：10ns 小 小 2. CMOS反相器的工作速度 1、与非门 二输入“与非”门电路结构如图 当A和B为高电平时: 当A和B有一个或一个以上为低电平时: 电路输出高电平 输出低电平 ? 电路实现“与非”逻辑功能 两个并联的PMOS管TP1、TP2 两个串联的NMOS TN1、TN2 2.3.3 其他CMOS逻辑门电路 T P2 B A T N2 T N1 V DD L 1 当A、B全为低电平时 0 0 输出为高电平时 2、或非门 当输入端A、B都为高电平时， 当A、B全为低电平时， 2.6.2 CMOS 门电路 当A、B中有一个为高电平时 T P2 B A T p2 T N1 V DD L 0 1 1 输出为高电平时 输出为低电平时 输出必为低电平时 T P2 B A T p2 T N1 V DD L 或非门工作原理 V DD B A L = A ? B X 由或非门和与或非门组成 3、异或门电路 CMOS传输门电路 (TG) 是一种传输信号的可控开关，截止电阻107Ω，导通电阻几百Ω，所以是一个理想的开关。 结构对称，其漏极和源极可互换，它们的开启电压|VT|=2V 。 它广泛地用于采样?保持电