理论教案一半导体二极管及其应用讲义.pptVIP

（三）二极管的命名方法 　　　国产二极管的命名由5部分组成，如下图所示。其中第二、三部分各字母含义如下表所示。 第 二 部 分 第 三 部 分 字 母 意 义 字 母 意 义 字 母 意 义 A N型锗材料 P 普通二极管 S 隧道二极管 B P型锗材料 W 稳压二极管 U 光电二极管 C N型硅材料 Z 整流二极管 N 阻尼二极管 D P型硅材料 K 开关二极管 L 整流堆 附表： 第二、三部分各字母含义 【举例】 某二极管的标号为2BS21，其含义是： P型锗材料隧道二极管，如下图所示。 （四）二极管的检测 　　万用表使用说明：模拟万用表的黑表笔是万用表内部电源的正极，红表笔则是负极；数字万用表的红表笔是万用表内部电源的正极，黑表笔则是负极；欧姆表的R×１、　 R×10、R×100、R×１K档用的内部电源为３V，R×10K档用的内部电源为９V。 　　　对于普通二极管的测量： 　　　(1) 用万用表R×100或R×1k挡测其正、反向电阻，根据二极管的单向导电性可知，测得阻值小时与黑表笔相接的一端为正极；反之，为负极。若二极管的正、反向电阻相差越大，说明其单向导电性越好。 (2) 若二极管正、反向电阻都很大，说明二极管内部开路；若二极管正、反向电阻都很小，说明二极管内部短路。 (3) 注意:不能用R×1挡（内阻小，电流太大）和R×10k挡（电压高）测试，否则有可能会在测试过程中损坏二极管。 对于稳压二极管的测量 １、稳压二极管介绍 符号、伏安特性和典型应用电路 (a) (a)符号 利用PN结反向击穿的特性，可以制成稳压二极管。 I（mA) 正向电流If U（V） 正向 0.6 反向击穿电压 UZ 正向导通电压 UD 0 击穿电流IR PN结V-A特性 曲线 I U + UZ 电路符号 (c)应用电路 (b) (b) 伏安特性 工作原理： 1、正偏时：就是普通二极管。 　　Si管管压降为0.5-0.7V； 　　Ge管管压降为0.2-0.3V。 2、反偏时：当电源电压小于Vz， 　　截止；当电源电压大于等于 　　Vz，则反向击穿导通，稳压 　　二极管两端电压为Vz。 　主要参数： （1）稳定电压UZ：稳压管击穿后电流变化很大。而电压基本不变的电压。不同的稳压管有不同的稳定电压。 （2）动态电阻rz （3）最大稳定电流 IZM，由最大耗散功率和稳定电压决定。 （4）最大耗散功率 PZM，工作时的功率PZ=IZ?UZ （5）温度系数；衡量由于温度变化而使稳定电压UZ变化的参数。一般UZ大于6伏的为正温度系数。小于6伏为负温度系数 ２、稳压二极管的测量： 　　　用万用表R×100或R×1k挡测有其正、反向电阻（Si管正向电阻为几百欧－几千欧、反向电阻为几百千欧以上；Ge管正向电阻为几十欧－几百欧、反向电阻为几十千欧以上），说明是性能好的二极管，测得阻值小时与黑表笔相接的一端为正极；反之，为负极。 　　　 如果用万用表R×1０k挡测上述二极管的反向电阻，阻值也很小，说明该二极管为稳压二极管。（稳压二极管的反向击穿电压在３－９V间适宜这种方法） （五）二极管的应用 １、二极管电路的静态工作情况分析 　例：设简单二极管基本电路如a所示，R=10千欧，图b是它的习惯画法。对于下列两种情况，求电路的ID和VD的值：（1）VDD=10V；（2）VDD=1V。在每种情况下，应用理想模型和恒压降模型求解。 （1）VDD=10V ① 使用理想模型得 VD=0V，ID=VDD/R=10V/10kW=1mA ② 使用恒压降模型得：VD=0.7V， (2) VDD=1V ① 使用理想模型得：VD=0V， ID= VDD/R=0.1mA ② 使用恒压降模型得：VD=0.7V， ID= （VDD－0.7）/R=0.03mA 2.二极管电路的限幅电路 分析 分析计算：ui为正弦交流电，画出u0的波形。 　　　　　与D串联一个5V直流电源（Ui大于5V），波形又怎样？ 分析演示：仿真 3.二极管开关电路 二极管开关电路如上图所示。求当Vi1和Vi2为0V或5V不同组合情况下，输出电压V0的值。设二极管是理想的。 V0 V0 3V 分析演示：仿真 4.二极管整流电路——（交流电变成脉动直流电过程称为整流） RL ~ 220V + uｏ – u2 二极管具有单向导电性，利用它可以进行交流电到直流电的转换。 o ? 2? 3? t u2 t o ? 2? 3? uO 关于整流电路分析与计算在后面章节再介绍。 分析演示：仿真 作业：1、网上查整流电路相关资料 2、书21页：5、7 《电子技术与实践》