模电第二章1晶体管讲义.pptVIP

作业 2.1.2 2.1.3 2.1.6 2.1.7(a、c、e） 2.1.8 2.1.15 iC(mA ) 1 2 3 4 vCE(V) 3 6 9 12 iB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中vCE?vBE,集电结正偏，??iBiC， vCE较小,称为饱和区。 例3 特点 2.1.2晶体管的静态特性曲线 二.共射输出特性曲线 vCE=vBE 2.1.2晶体管的静态特性曲线 iC(mA ) 1 2 3 4 vCE(V) 3 6 9 12 iB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : iB≤0, iC≤ICEO, vBE 死区电压，称为截止区。 特点 二.共射输出特性曲线 （1）放大区：发射结正偏，集电结反偏。 输出特性三个工作区域的特点: (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：vCE?vBE ， ??iBiC，vCE?0.3V (3) 截止区： vBE 死区电压， iB≤0 ， iC≤ICEO ?0 输出特性 即： , 且 ?IC = ? ? IB 2.1.2晶体管的静态特性曲线 二.共射输出特性曲线 2.1.2晶体管的静态特性曲线 二.共射输出特性曲线 考虑到基区宽度调制效应和集电结反向击穿效应，输出特性如下： 2.1.2晶体管的静态特性曲线 二.共射输出特性曲线 输出特性斜率的倒数为晶体管的输出电阻： 关于 和 的关系 关于晶体管的反向应用 二.共射输出特性曲线 2.1.2晶体管的静态特性曲线 与二极管的伏安特性曲线类似，如果保持输入电流不变，当温度升高时，晶体管的输入特性曲线左移。 第一节 双极型晶体管 2.1.3 温度对晶体管特性的影响 (v) iB (μA) 100 80 60 40 20 0 0.4 0.7 vBE 0o 10o 不同温度下的输入特性曲线 100o 与二极管伏安特性曲线类似，温度升高时，反向饱和电流和反向穿透电流亦升高。 温度升高时， 值增大. 第一节 双极型晶体管 2.1.3 温度对晶体管特性的影响 }30μA }20μA }10μA — 25度； 45度 iB相同 不同温度下的输出特性曲线 （mA） iC VCE } 0μA 1、共发射极 直流电流放大倍数 第一节 双极型晶体管 2.1.4 晶体管的主要参数 一.电流放大系数 交流（短路）电流放大系数 2.1.4晶体管的主要参数 1、共发射极 一.电流放大系数 手册中常用hfe表示。 例：VCE=6V时：iB = 40 ?A, iC =1.5 mA； iB = 60 ?A, iC =2.3 mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 2、共基极 直流电流放大倍数 交流电流放大系数 2.1.4晶体管的主要参数 一.电流放大系数 1、集电极—基极反向电流：ICBO 发射极开路时的集电结反向漂移电流，一般很小。 2.1.4晶体管的主要参数 二.极间反向电流 2、集电极—发射极电流ICEO 硅管比锗管的反向电流小，故温度稳定性比锗管好。 基极开路时的集电极电流。 ICEO=（1+ β）ICBO 即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。 ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。 ICEO 2.1.4晶体管的主要参数 二.极间反向电流 3、发射极—基极反向电流IEBO 集电极开路时的发射结反向饱和电流。 2.1.4晶体管的主要参数 二.极间反向电流 1、集电极最大允许电流 ICM 三极管工作时不允许超过的最大集电极电流，如果超过，不但会使其性能变坏，而且可能损坏管子。 2.1.4晶体管的主要参数 三.极限参数 一般取?β下降至最高值的2/3时所对应的集电极电流为ICM。 2、反向击穿电压 V(BR）CBO 发射极开路时的集电极基极间的反向击穿电压。一般比较高，从几十伏到几千伏不等。 2.1.4晶体管的主要参数 三.极限参数 V （BR） CEO 基极开路时的集电极发射极间的击穿电压。比V(BR）CBO低。 2.1.4晶体管的主要参数 三.极限参数 2、反向击穿电压 V （BR）EBO 集电极开路时的发射极基极间的反向击穿电压。该电压一般比较低，约5—10V左右。 2.1.4晶体管的主要参数 三.极限参数 2、反向击穿电压 基射间接反偏压 基射间短接 基射间接电阻 基射间开路 射极开路 各击穿电压的关系 3、最大集电极允许功耗 PCM PCM = iC·vCE； 与散热条件有关。硅管的最高结温小于150°C，一般工作在低于80度以内。 2.1.4晶体