模电教案二极管讲义.pptVIP

1.2 半导体二极管 PN结加上引线和封装 ? 二极管 阴极 阳极 一、半导体二极管的几种常见结构 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用 于低频大电流整流电路。 一、半导体二极管的几种常见结构 (3) 平面型二极管 用于集成电路制造工艺中，PN 结面积可大可小，用于大功率整流和开关电路中。 一、半导体二极管的几种常见结构 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 用字母代表半导体器件的材料，A代表N型Ge，B代表P型Ge，C代表N型Si，D代表P型Si 用字母代表半导体器件的类型，P代表普通管 2代表二极管，3代表三极管 一、半导体二极管的几种常见结构 半导体二极管的型号 P－普通二极管 W-电压调整管和电压基准管（稳压管） L-整流堆 N-阻尼管 Z-整流管 U-光电管 K-开关管 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 一、半导体二极管的几种常见结构 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 用字母代表半导体器件的材料，A代表N型Ge，B代表P型Ge，C代表N型Si，D代表P型Si 用数字代表同类型器件的不同 用字母代表半导体器件的类型，P代表普通管 2代表二极管，3代表三极管 2AP9——N型锗材料普通二极管 2CW56——N型硅材料稳压二极管 二、二极管的伏安特性 1. 二极管和PN结伏安特性的区别 0 u U(BR) i IS Uon 开启电压 （死区电压，电流为0） 二极管有电阻正向电流小 二极管有表面漏电流反向电流大 二、二极管的伏安特性 2. 温度对二极管伏安特性的影响 0 u U(BR) i 温度升高 温度升高，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。 温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1℃，正向压降VF(VD)大约减小2mV，即具有负的温度系数。 二、二极管的伏安特性 3. 两种材料二极管的比较 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 材料 开启电压Uon/V 导通电压U/V 反向饱和电流Is/μA 硅(Si) ≈0.5 0.6~0.8（0.7） 0.1 锗(Ge) ≈0.1 0.1~0.3（0.2） 几十 0 u D / V 0 .2 0 . 4 0 . 6 0 .8 - 10 - 20 - 3 0 - 4 0 5 10 1 5 20 - 10 - 20 - 3 0 - 40 i D / m A i D / mA 死区 Uon UBR 0 u D / V 0 .2 0 . 4 0 . 6 - 2 0 - 4 0 - 60 5 10 1 5 20 - 10 - 20 - 3 0 - 40 i D / m A i D / mA ② ① ③ Uon UBR 三、二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 (2) 反向击穿电压UBR和最高反向工作电压UR 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压UBR。 为安全起见，在实际 工作时，最大反向工作电压 UR一般只按反向击穿电压 UBR的一半计算。 三、二极管的主要参数 (3) 反向电流IR : 未击穿时的反向电流。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 (4) 正向压降VF：在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 (5) 最高工作频率fM：二极管工作的上限频率（结电容的作用与单向导电性的关系） 四、二极管的等效电路 1. 由伏安特性折线得到的等效电路 正向偏置时： 管压降为0，电阻也为0 反向偏置时： 电流为0，电阻为∞ (1) 理想模型 (2) 恒压降模型 iD ＋ uD － Uon iD ＋ uD － 四、二极管的等效电路 1. 由伏安特性折线得到的等效电路 (3) 折线模型（实际模型） Uon iD ＋ uD － rD ui 例：利用伏安特性的非线性构成限幅电路（硅） uo R + _ + _ D1 D2 ui uo |ui |0.7V时，D1、D2截止，所以uo=ui | ui |0.7V时， D1、D2中有一个导通 R + _ + _ uo ui D2 D1 uo 例：全波整流电路 不管输入信号处于正或负半周，负载上得到的都是正向电压。 ui uo vi