攻克存储4S3C2440存储系统设计与思考.docVIP

前面几篇文章分别讲述了存储系统的地址线连接方法、存储芯片的写屏蔽、存储系统的扩展，以及SDRAM/DDR的结构和寻址，本文将以ARM芯片s3c2440为例，从整体上描述一个同时包含有SDRAM、Nor Flash、Nand Flash的存储系统的设计、工作原理和注意事项。 ? ? 下面这幅原理图就是这样一个完整的存储系统，主控芯片是三星公司的ARM芯片s3c2440（未画出，但相关引脚都在图中的导线上的标号标出），该存储系统包含了一个SDRAM（HY57V561620），一个Nor Flash（Am29LV160DB）一个Nand Flash（K9F1208）。 ? ??由该存储系统原理图，我们提出以下几个问题，并一一解答： ? ?（1）SDRAM芯片和 Nor Flash芯片都连接了ARM芯片的地址线，他们各自在存储系统中的地址范围是多少？由什么决定当前访问的是哪一个存储器 ？ ? ?（2）如果希望再扩展一个ROM存储器，如何连线，地址范围如何确定？ ? ?（3）Nand Flash芯片并没有连接到ARM芯片的地址线，如何寻址？怎样选中它？ ? ?（4）ARM芯片如何知道外接存储器的位宽，即8位、16位还是32位？ ? ?（5）程序代码可能存储在Nor Flash中，或者 Nand Flash中，系统启动时如何知道从哪个存储器中读代码？? ? 1. 首先回答第一个问题，存储芯片地址范围的确定。 ? ? 参考s3c2440的datasheet，我们可以找到该芯片的内存映射表（Memory Map），如下图： ? ? 根据OM[1]和OM[0]引脚的不同，内存映射的方式有细微差别（具体原理在本文后面讲述）。但基本可以看出，决定外接存储器的存储地址范围的因素主要是一组引脚 nGCS0[0]~nGCS[7] 。 ? ? s3c2440芯片把存储系统分为了8个Bank，由nGCS0[0]~nGCS[7] 这8根引脚决定当前访问的是哪一个Bank对应的存储器。其中，前6个Bank用于连接ROM或者SRAM（或者类似SRAM接口的存储器，如Nor Flash）（图中由SROM标识），而第7和第8个Bank用于连接SDRAM，并且规定由第7个Bank地址作为SDRAM的起始地址（即0。 ? ? 原理图中，我已经将决定存储芯片起始地址的nGCS0x引脚用特殊的亮红色标记出来了。我们可以看到，SDRAM芯片被连接到第6个Bank中，起始地址为0而Nor Flash被连接到了第0个Bank，起始地址为0x0000000 2. 再回答第二个问题，如何添加新的存储芯片？ ? ? 其实，由第一个问题的解释，我们基本上就知道该怎么回答这个问题了。如果添加的是SRAM或者ROM芯片，则自然是将ARM的地址线对应着芯片的地址线进行连接（连接方法在本系列第一篇文章中讲过），然后由 nGCS0[0]~nGCS[5] 这6根引脚中，任选一个尚未使用到的Bank，连接到新添加的芯片上，以决定其地址起始。例如下图，外接一个8位的ROM芯片，片选信号使用 nGCS1，查上面给出的内存映射得知，其起始地址为 0 3. ?然后解决第三个问题，Nand Flash芯片是如何选中和访问的？ ? ? 首先要了解Nand Flash的芯片原理，它不是直接通过地址线来寻址和访问的，而是有一套自己的读写擦除机制。该原理的介绍网上文章很多，这里不再赘述。这里需要说明的是，Nand Flash芯片虽然不需要连接ARM的地址线来寻址，但是额外需要其他的一些引脚来控制对其的访问，例如图中的Nand Flash相关的控制引脚说明如下： ? ? 对应的，ARM端（s3c2440）也为Nand Flash的访问单独提供这些引脚，正好对应连接，例如Nand Flash片选信号nCE连接到了ARM端的Nand Flash片选引脚nFCE上。当ARM需要访问Nand Flash时，就会使能这些相关的引脚，比如使能片选（nFCE），这样就选中了对应的Nand Flash芯片，然后进行读写擦除等操作。 4. ?下面回答第四个问题，如何配置外接存储器的位宽？ ? ? 从s3c2440的datasheet可以找到，有一个寄存器是专门用于配置各个Bank外接存储器的位宽的，并且配置了该外接存储器是否使用写屏蔽（即写时序中是否分高字节和低字节）（在本系列第2篇文章中有描述），该寄存器说明如下： ? ??那么，加问一句，为什么需要配置这个位宽呢？ ? ? 举个例子来说明这个问题吧。 ? ? 假设 ARM 扩展了两片16MB的SRAM芯片，每片SRAM芯片为16位，扩展后，存储系统为32位，两片SRAM片选引脚均连接的是ARM芯片的 nGCS1。 ? ? 由于每