湖南大学微电子电路期末考试题晶体管讲解.ppt

半导体三极管有两大类型， 1971年：英特尔发布了其第一个微处理器4004。4004规格为1/8英寸 x 1/16英寸，包含仅2000多个晶体管，采用英特尔10微米PMOS技术生产。 2007年1月8日，英特尔发布了针对桌面电脑的65纳米制程英特尔·酷睿?2四核处理器和另外两款四核服务器处理器。英特尔·酷睿?2四核处理器含有5.8亿多个晶体管。 2010年11月，NVIDIA发布全新的GF110核心，含30亿个晶体管，采用先进的40纳米工艺制造 半导体三极管图片 双极型半导体三极管 场效应半导体三极管 双极型半导体三极管是由两种载 流子参与导电的半导体器件，它由两 个 PN 结组合而成 场效应型半导体三极管仅由一种 载流子参与导电。 2.4 双极型晶体管 英特尔酷睿i7处理器 含30亿晶体管的GF110核心 NVIDIA创始人 黄仁勋 2.4.1 BJT的结构及类型 2.4 双极型晶体管（BJT） 2.4.2 BJT的电流分配与放大原理 2.4.3 BJT的共射特性曲线 2.4.4 BJT的主要参数 2.4.1 BJT的结构简介 半导体三极管的结构有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 BJT的电流分配与放大原理 1. 内部载流子的传输过程 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） 载流子的传输过程 以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管，或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。 若两个PN结对接，相当于基区很厚，所以没有电流放大作用。基区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。 2. 电流分配关系 根据传输过程可知 IC= InC+ ICBO IB= IB’ - ICBO 通常 IC ICBO ? 为电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99 IE=IB+ IC 载流子的传输过程 根据 ? 是另一个电流放大系数，同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 IE=IB+ IC IC= InC+ ICBO 且令 ICEO= (1+ ? ) ICBO （穿透电流） 2. 电流分配关系 三极管的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态 RL e c b 1k? 共基极放大电路 放大作用 若 ?vI = 20mV 使 当 则 电压放大倍数 VEE VCC VEB IB IE IC + - ?vI +?vEB ?vO + - +?iC +?iE +?iB ?iE = -1 mA， ?iC = ? ?iE = -0.98 mA， ?vO = -?iC? RL = 0.98 V， ? = 0.98 时， + - b c e RL 1k? 共射极放大电路 VBB VCC VBE IB IE IC + - ?vI +?vBE ?vO + - +?iC +?iE +?iB ?vI = 20mV 设 若 则 电压放大倍数 ?iB = 20 uA ?vO = -?iC? RL = -0.98 V， ? = 0.98 使 放大作用 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 2.4.2 BJT的电流分配与放大原理 vCE = 0V + - b c e 共射极放大电路 VBB VC