第五章光电子能谱要点分析.pptVIP

概述——表面分析技术 光电子能谱分析的基本原理 光电子能谱仪 光电子能谱测定技术 光电子能谱分析的应用 表面 表面分析技术 表面分析得到的信息 表面分析的意义 表面分析常用于： 材料表面 陶瓷（多晶材料）界面 薄膜材料 纳米材料 X射线光电子能谱分析（X-ray photoelectron spectroscopy, XPS） 俄歇电子能谱分析 (auger electron spectroscopy, AES) 紫外光电子能谱分析(ultraviolet photoelectron spectroscopy, UPS) 二次离子质谱分析(secondary ion mass spectrometry, SIMS) 激光微探针质谱分析(laser microprobe mass spectrometry, LMMS) 电子探针分析(electron microprobe, EM ) 物质表面层的化学成分（除氢元素以外） 物质表面层元素所处的状态 表面层物质的状态 物质表面层的物理性质 光电效应 光电子能谱分析基本原理 化学位移 伴峰和谱峰分裂 光电子能谱分析基本原理 例如： 金属铝Al：在化学上为零价Al0，其2p能级电子结合能为72.4eV； Al2O3：铝为正三价Al3+，2p能级电子结合能为75.3eV，增加了2.9eV， 即化学位移为2.9eV。 光电子能谱仪的结构 激发光源 光电子能量分析器 电子检测器 真空系统 XPS的仪器 Instrumentation for XPS 样品制备 样品处理 测定的注意事项 元素的定性分析 元素的定量分析 固体表面相的研究 化合物结构的鉴定 1.XPS定性分析依据 XPS产生的光电子的结合能仅与元素种类以及所激发的原子轨道有关。特定元素的特定轨道产生的光电子能量是固定的，依据其结合能就可以标定元素； 从理论上，可以分析除H，He以外的所有元素，并且是一次全分析，范围非常广。 2.XPS定性分析方法 元素（及其化学状态）定性分析即以实测光电子谱图与标准谱图相对照，根据元素特征峰位置（及其化学位移）确定样品（固态样品表面）中存在哪些元素（及这些元素存在于何种化合物中）。 标准谱图载于相关手册、资料中。 常用的Perkin-Elmer公司的《X射线光电子谱手册》载有从Li开始的各种元素的标准谱图（以Mg Kα和Al Kα为激发源），标准谱图中有光电子谱峰、俄歇谱峰位置并附有化学位移数据。 2.XPS定性分析方法 分析时首先通过对样品（在整个光电子能量范围）进行全扫描，以确定样品中存在的元素；然后再对所选择的谱峰进行窄扫描，以确定化学状态。 定性分析时，必须注意识别伴峰和杂质、污染峰（如样品被CO2、水分和尘埃等沾污，谱图中出现C，O，Si等的特征峰）。 定性分析时一般利用元素的主峰（该元素最强最尖锐的特征峰），自旋—轨道分裂形成的双峰结构情况有助于识别元素。 XPS定性分析 影响谱峰强度的因素 仪器因素 光电离过程和光电离截面的影响 样品表面组分分布不均、表面污染 XPS的定量计算 本底扣除；理论模型法；灵敏度因子法 1.玻璃表面的研究 2.水泥熟料中硅酸钙的水化表面 一、俄歇电子能谱分析 俄歇电子能谱分析特点： 二、俄歇电子能谱分析基本原理 1.俄歇电子 当原子内壳层的一个电子被电离后，外层电子填入内层电子空穴时，多余的能量以无辐射的过程传给另一个电子，并将它激发出来，最后使原子处于双电离状态，可以用下式表示： A?＋→A2++e- 俄歇电子表示方法： 俄歇电子也常用X射线能级表示，例如常用的KL1L3符号，表示 原子K层能级上一个电子被激发出留下空穴； L1能级上的一个电子填入K能级空穴； 多余的能量传给L3能级上的电子，将它发射出来。 所以俄歇跃迁通常都有三个能级参与，至少涉及两个能级。 对俄歇电子的符号可以通用为KLpLq，KLM或者LpLqM等。 2.俄歇电子产额 3.俄歇电子能量 俄歇电子的能量一般只在几十到几百电子伏， 俄歇电子的动能可从相应能级电子的结合能计算，以KL1L2的俄歇电子为例（当电离空穴和填补空穴电子在同一能级内的称为Coster--Kronig过程）： （5-17） 双电离状态的修正 4.直接谱与微分谱 常用的俄歇电子能谱有直接谱和微分谱两种。 直接谱即俄歇电子强度［密度（电子数）］N (E) 对其能量E的分布[ N (E)-E ]。 微分谱由直接谱微分而来，是dN (E) / dE对E的分布[dN (E) / dE-E]。 微分谱的特点