电工学(第七版)下册半导体(下)要点分析.ppt

集成电路阶段 集成电路制造技术的发展日新月异，其中最具有代表性的集成电路芯片主要包括以下几类，它们构成了现代数字系统的基石。 14.1.3 杂质半导体 §14.3 半导体二极管 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 (1-*) 结 束 (14-*) 1．半导体材料中有两种载流子：电子和空穴。电子带负电，空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质，可以得到N型半导体和P型半导体。 2．采用一定的工艺措施，使P型和N型半导体结合在一起，就形成了PN结。PN结的基本特点是单向导电性。 3．二极管是由一个PN结构成的。其特性可以用伏安特性和一系列参数来描述。 内容小结 (14-*) 4.三极管工作时，有两种载流子参与导电，称为双极型晶体管。 5.是一种电流控制电流型的器件，改变基极电流就可以控制集电极电流。 6.晶体管特性可用输入特性曲线和输出特性曲线来描述。 7.有三个工作区：饱和区、放大区和截止区。 (14-*) 例3：已知：Ui = 10 sinwt V，二极管为理想元件。 试画出Uo的波形。 Ui 5V：Uo = Ui 解： 方法：判断二极管何时 导通、截止。 Ui5V ：Uo = 5V + Uo + Ui 5V + Uo + Ui 5V + Uo + Ui 5V Ui 10V 5V (14-*) 例4：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo 解：（1）采用理想模型分析。 采用理想二极管串联电压源模型分析。 例题 (14-*) （2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。 解：①采用理想二极管 模型分析。波形如图所示。 0 -4V 4V ui t 2V 2V uo t (14-*) 0 2.7V uo t 0 -4V 4V ui t 2.7V ②采用理想二极管串联电压源模型分析，波形如图所示。 为了了解电流分配和放大原理，我们先来做个试验。实验电路如图所示。 把晶体管接成两个电路，基极和集电极电路，发射极是公共端，因此这种解法称为共发射极接法。 采用NPN型，基极和集电极电源电压必须按照图示连接，发射结加正向电压，集电结加反向电压，晶体管才能起到放大作用 * 用载流子在晶体管内部的运动规律来解释上述结论。 * 从晶体管内部载流子的运动规律，可以理解要使晶体管起到电流放大作用为什么发射结要正偏，集电结要反偏。 * NPN管两个电位都是正的，PNP管两个电位都是负的。NPN型集电结电位最高，发射极电位最低，PNP型发射极电位最高，集电极电位最低。 * 对于硅管来说，UCE?1V时，集电结已反向偏置，而且基区很薄，可以把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入到集电区，以后UCE对IB的影响就不明显了，UCE?1V后的输入特性曲线基本上是重合的。 * 通常只画UCE?1V的一条输入特性曲线。 晶体管的输出特性曲线是一组曲线，如图所示，IB为0时，IC不为0，约为ICEO * 特性曲线接近水平的部分为放大区。晶体管的输出特性曲线在放大区是一组近似与横轴平行的直线。 * 两者含义不同，但是在输出特性曲线接近平行等距并且ICEO较小的情况下，两者的值比较接近，今后估算时认为两者相等。晶体管的输出特性曲线是非线性的，只有在接近水平部分，贝塔值才可以认为是基本恒定的。 * 加备注：2发射极开路时由于集电结反偏，集电区和基区中的少数载流子运动所形成的电流。 3基极开路，集电结处于反偏和发射结处于正偏时的集电极电流，又因为它好像是从集电极直接穿透晶体管而到达发射极的，所以又称穿透电流。 1，2，3是表明晶体管好坏的主要指标，4，5，6是极限参数，晶体管的使用限制。 * (14-*) 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 (14-*) B E C N N P 三极管放大的外部条件： 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB EB RB EC RC 14.5.2 电流分配和放大原理 从电位的