传感器与检测技术第二版胡向东著第七章磁电式传感器解析.ppt

2002/12总结 第7章 磁敏式传感器 7.1 磁电感应式传感器 7.2 霍尔式传感器 本章要点 7.1 磁电感应式传感器 三、磁电感应式传感器应用举例 7.2 霍尔式传感器 7.2.1 工作原理 7.2.2 测量电路 为了减小温度误差，除了选择温度系数小的霍尔元件(如InAs)或采取恒温措施外，由 可看出：采用恒流源供电是个有效措施，减小元件内阻随温度变化而引起的控制电流的变化，但是还不能完全解决霍尔电动势的稳定问题。 7.2.3 霍尔式传感器的应用 第7章 本章要点 上页 返回 下页 磁转子M旋转带动磁极旋转，霍尔元件H感受到磁场强度发生变化，产生的霍尔电势经差动运算放大器A放大后输出矩形波，输出信号可反映转子的转速。 下页 返回 磁电式传感器是通过磁→电作用将被测量（如振动、位移、转速等）转换成电信号的一种传感器。 下页 上页 返回 一、 类型及工作原理 磁电感应式传感器也称为电动式传感器（感应式传感器），它是利用导体和磁场发生相对运动而在导体两端输出感应电动势的原理工作的。（发电机原理） 特点：不需要电源，可直接从被测物体吸取机械能量并转换成电信号输出，电路简单，性能稳定，输出阻抗小，输出电压灵敏度高，频率响应（10～1000Hz），但体积、重量较大，一般适于测量振动、转速、扭矩等参数。 根据法拉第电磁感应定律：W匝线圈在恒定磁场中运动并切割磁力线时，线圈中将产生感应电动势： 下页 上页 返回 线圈相对磁场运动速度为v或 下页 上页 返回 （一） 恒定磁通式 分动圈式（a）和动铁式（b）两种结构（相对于壳体） 图7-1 恒定磁通路电感应式传感器结构原理图 图7-2 变磁通式磁电感应式传感器结构原理图 （a) 开磁路 (b) 闭磁路 下页 上页 返回 （二） 变磁通式 二、测量电路 图7-5 磁电感应式传感器测量电路方框图 下页 上页 返回 下页 上页 返回 图7-6 动圈式恒磁通振动速度传感器 下页 上页 返回 图7-7 磁电感应式转速传感器（变磁通式） 1——转轴 2——转子 3——永久磁铁 4——线圈 5——定子 上页 返回 下页 图7-9 电磁流量计（恒磁通式） 霍尔效应和霍尔元件材料 霍尔元件构造及测量电路 霍尔元件的主要技术指标 霍尔元件的补偿电路 霍尔式传感器的应用举例 霍尔式传感器是利用霍尔元件基于霍尔效应原理而将被测量、如电流、磁场、位移、压力等转换成电动势输出的一种传感器。 上页 返回 下页 1. 霍尔效应： 一块长为l、宽为b、厚为d的半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场(磁场方向垂直于薄片)中，当有电流I流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势UH。这种现象称为霍尔效应。霍尔式传感器是由霍尔元件所组成。 上页 返回 下页 图7-10 霍尔效应原理图 电场力: 洛伦兹力: 平衡时: 上页 返回 下页 RH—霍尔系数 KH—灵敏度 2.霍尔元件 外形、结构和符号 下页 上页 返回 霍尔元件的命名 下页 上页 返回 图7-12 霍尔元件的线性特性和开关特性 上页 返回 下页 特性 线性器件：输出模拟量 开关器件：输出数字量 负载特性 ：当霍尔电极间接有负载时（阻抗非无穷大），有电流流过内阻产生压降，实际的霍尔电动势将比理论值略小。 温度特性 ：半导体材料受温度影响大，将影响霍尔系数、电阻率、灵敏度等。 1．锗(Ge) 输出小，但温度性能和线性度较好； 2．硅(Si) 线性度最好，但带负载能力较差，通常不作单个霍尔元件； 3．砷化铟(InAs) 输出较大，受温度影响小，线性度较好，应用较多； 4．锑化铟(InSb) 输出大，但受温度影响大（尤其是低温） 上页 返回 下页 材料 额定激励电流IH 使霍尔元件温升10℃所施加的控制电流值称为额定激励电流。通常用IH表示。 输入电阻Ri 它是指控制电流极间的电阻值。它规定要在室温(20±5℃)的环境温度中测取。 输出电阻Rs 它是指霍尔电极间的电阻值。规定中要求在(20±5℃)的条件下测取。 热阻RQ 它表示在霍尔电极开路情况下，在霍尔元件上输入 lmW的电功率时产生的温升，单位为C／mW。 主要技术指标 下页 上页 返回 上页 返回 下页 霍尔元件的基本测量电路如图所示。 激励电流由电源E供给，可