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化学气相沉积法 化学气相沉积法概述 一、化学气相沉积的原理 二、化学气相沉积的工艺方法 三、化学气相沉积的特点与应用 四、 PVD和CVD两种工艺的对比 五、化学气相沉积的新进展 一、化学气相沉积的原理定义：化学气相沉积（Chemical vapor deposition)简称CVD技术，是利用加热、等离子体激励或光辐射等方法，从而形成所需要的固态薄膜或涂层的过程。 从理论上来说，它是很简单的：将两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到基体表面上。 CVD化学反应中须具备三个挥发性条件： （1）反应产物具有足够高的蒸气压 （2）除了涂层物质之外的其他反应产物必须是挥发 性的 （3）沉积物具有足够低的蒸气压 化学气相沉积的反应过程 化学反应可在衬底表面或衬底表面以外的空间进。 （1）反应气体向衬底表面扩散 （2）反应气体被吸附于衬底表面 （3）在表面进行化学反应、表面移动、成核及膜生长 （4）生成物从表面解吸 （5）生成物在表面扩散 在这些过程中反应最慢的一步决定了反应的沉积速率。 CVD化学反应原理的微观和宏观解释 （1）微观方面： 反应物分子在高温下由于获得较高的能量得到活化，内部的化学键松弛或断裂，促使