光探总复习分析报告.ppt

§6.1.1 像管的工作原理与结构 一、工作原理（三大功能）： 光电变换部分: 即光电阴极，光电子发射图像； 电子光学部分: 即电子透镜，它可以使光电阴极发射出来的光电子图像进行加速； 电光变换部分: 即荧光屏，它可以使电子图像变成可见光图像。 二、结 构: 一、摄像管的分类（按光电变换的形式） 把有移象区的摄象管称为光电发射式摄象管，它的光电变换部分和光信息存储部分彼此分离，总称为移象区。 1.内光电变换型（光电导型） 2.外光电变换型（光电发射型） 移像区(加速电场)：增强光电子能量，获得增益，提高灵敏度。 把没有移象区的摄象管称为光电导式摄象管或视象管，它的两部分功能全由一个靶来完成。电子枪部分二者基本相同。 具体分为以下四个过程： 1.光学图像各个像素转变成电荷（电位）图像； 2.对电荷图像进行存贮和积累构成电荷图； 3.对电信号进行放大和增强； 4.对存贮电荷图像的各个像素进行有序扫描，输 出与输入信息成比例的一维电信号。 光电发射式摄象管 光电导式摄象管 R 靶 电子束 电子枪 R 光电阴极 靶 电子束 电子枪 移像区 光电摄像器件的工作过程： 1、光电转换：光学图像投射到器件光敏面上，以象素为单元分别进行光电转换，形成电量的潜像。 2、光电信号的存储：每个象素在扫描周期内对转换的电量进行存储。 3、扫描：扫描线按一定轨迹逐点采集转换后的电量，形成输出信号。 第7章 固体成像器件 7.1 电荷耦合器件 7.2 电荷耦合器件的分类 7.3 CCD摄相机分类 7.4 CCD的性能参数 7.5 自扫描光电二极管阵列 7.6 固体摄像器件的发展现状和应用 1.电荷耦合器件的结构 MOS结构 与电荷存储 CCD是由金属－氧化物－半导体构成的密排器件， （Metal Oxide Semiconductor,MOS）简称MOS结构，它实际就是一个MOS电容。 电荷耦合器件 Charge Couple Device (简称CCD)是一种用电荷量表示信号并用耦合方法传输信号的器件，它具有信号探测、延时、传输和积分的多种功能。 P或n型硅衬底 SiO2 金属(栅） VG 2.电荷耦合原理与电极结构 2伏 2伏 10伏 VG P-Si Φ ① ③ ③ ② 2伏 2伏 10伏 VG P-Si Φ ① ③ ③ ② VG 2伏 2伏 10伏 P-Si 2伏 Φ ① ③ ③ ② VG Φ1 Φ2 Φ3 t2 t4 t1 t3 t5 Φ1 Φ2 Φ3 10伏 2伏 2伏 2伏 VG P-Si Φ ① ③ ③ ② VG 2伏 2伏 10伏 P-Si Φ ① ③ ③ ② 在半导体硅片上按线阵或面阵排列MOS单元，如果照射在这些光敏元上的是一幅明暗起伏的图像，则这些光敏元上就会感生出一幅与光照强度相对应的光生电荷图像。 2.信号转移 CCD的分类 CCD 线阵CCD 面阵CCD 单边线阵 双边线阵 FTCCD（帧转移） ILTCCD（行间转移） 测量 成像 * 线型CCD摄像器件的两种基本形式 一个完整的CCD器件由光敏元、转移栅、移位寄存器及一些辅助输入、输出电路组成。 CCD工作分为如下几个步骤： 1）在设定的积分时间内，光敏元对光信号进行取样，将光的强弱转换为各光敏元的电荷量。 2）取样结束后，各光敏元的电荷在转移栅信号驱动下，转移到CCD内部的移位寄存器相应单元中。 3）移位寄存器在驱动时钟的作用下，将信号电荷顺次转移到输出端。 4）输出信号可接到示波器、图象显示器或其他信号存储、处理设备中，对信号再现或进行存储处理。 1、转移效率η：信号电荷包在进行一次转移中的效率。 即电荷包从一个栅极势阱转移到下一个栅极势阱时，有η部分的电荷转移过去，余下ε（称为失效率）部分没有被转移，根据电荷守恒定律有： 电荷量为Q0的电荷包经过 n 次转移后的电荷输出量为： 成百上千次转移后，即使η接近1，总的效率仍然很低。如： 二相1024位器件，当η＝0.999时，总效率不到0.13。 总效率 第八章 红外辐射与红外探测器 8.1 红外辐射的基本知识 8.2 红外探测器 8.3 红外探测器的性能参数及使用中应注意的事项 8.4 红外测温 8.5 红外成像 8.6 红外无损检测 8.7 红外探测技术在军事上的应用 红外探测器种类很多，常见的有两大类：热敏探测器和光子探测。 8.