CMOS模拟集成电路设计_ch7噪声1要点讲解.pptVIP

模拟CMOS集成电路设计 第 7 章 噪 声（一） 噪声的分类 “环境”噪声和器件噪声 “环境”噪声（interference noise）指来自电源线、地线、衬底等“外环境”的噪声（干扰） 器件噪声（inherent noise）指器件本身由于载流子的随机运动所产生的噪声，是本章讨论的对象 对于CMOS电路，器件噪声主要有以下两种： 热噪声 闪烁噪声 Noise——unwanted signal * * 限制信号大小的下限是噪声，上限是失真。 统计学特性 噪声是一个随机过程 每一时刻的幅值是不能预测的 哪些特性可以被预测？ 平均功率、功率谱密度（噪声谱） 平均功率 电路中大多数噪声源有固定的平均功率，是可以预测的 平均功率的定义： 若x(t)为电压信号，则Pav单位为V2 也经常用均方根值来衡量噪声的大小（root mean square）： 方便起见，用平均功率的单位用V2来表示而不用W 噪声谱 噪声是频率的函数，噪声谱即“功率谱密度” (PSD: Power spectral density)，表示在某频率上噪声信号具有的功率大小 噪声x(t)的PSD，记为Sx(f )，被定义为 f 附近1Hz的带宽内x(t)具有的平均功率。 Sx(f)用V2/Hz表示，也常常用均方根值 表示其结果。 电路中大多数噪声源有可预测的噪声谱 噪声谱 白噪声— 在所关心的频率范围内PSD为恒定值 适用于线性时不变系统，是分析电路噪声时的理论依据 传输定理 如果把噪声谱为Sx(f) 的一个信号加在一个传输函数是H(s)的线性时不变系统上，则输出谱由下式给出 噪声谱被H(f)“整形” 电话系统带宽为4KHz，声音信号的高频部分被滤除 相关噪声源和非相关噪声源 电路中通常同时存在多个噪声源 相关噪声源 噪声功率不可以直接叠加 非相关噪声源 不相关器件产生的噪声；噪声功率可以直接叠加 不相关时，第三项为零； 相关性越高（波形相似程度），第三项的值越大 相关噪声源和非相关噪声源 比赛前体育场中的观众交谈，产生非相关噪声，总噪声功率低 比赛中，观众齐声呐喊，产生相关噪声，总噪声功率高 AIC设计中研究的噪声源通常是不相关的 热噪声 来源 导体中载流子的随机热运动，引起导体两端电压波动 随机运动程度与绝对温度有关，因此噪声谱与绝对温度成正比 电阻的热噪声 电阻的热噪声功率谱密度SV(f)=4kTR 注意，教材上有时默认 ?f =1Hz，即把功率谱和 频段上的噪声总量混写 极性不重要，但在分析电路时要保持不变 用电流源来表示热噪声 噪声可以用串连电压源来表示，也可以用并联电流源表示 多种表示的意义 选择合适的表示法，会降低电路分析的复杂度 完整的表征噪声需要同时使用这两种表示法——见“输入参考噪声”部分 计算RC电路的输出噪声谱和总噪声功率 1pF电容时为64.3?Vrms 与R无关，只能增大C来减小噪声 MOS管沟道区的热噪声 对于工作在饱和区的MOS管 注意 ? 不是体效应系数，长沟道MOS管的 ?=2/3，亚微米MOS管? 会较大（0.25微米工艺时? 为2.5） 单个MOS管能产生的最大输出热噪声电压： 减少gm可降低噪声。当 gm不影响其他关键指标时，应尽量小（例如：MOSF做恒流源时） MOS管欧姆区的热噪声 栅、源、漏的材料电阻引入的热噪声 总的来说欧姆区相对于沟道区的热噪声作用较小，在以后的分析中忽略 MOS管的闪烁噪声 所以闪烁噪声也叫1/f 噪声 减少1/f 噪声主要靠增大器件面积 MOS管的总噪声 在1KHz—1MHz频带内，计算NMOS管源漏电流的总噪声 1/f 噪声： 热噪声： 转角频率 定义：热噪声和1/f 噪声曲线的交叉点 用来界定是1/f 噪声还是热噪声起主导作用 * *