IZO透明导电氧化物薄膜的研究要点讲解.ppt

IZO透明导电氧化物材料 的研究 2 4 3 1 3 3 报 告 内 容 研 究 意 义 实 验 方 法 实 验 成 果 课 题 总 结 目前，透明导电二元氧化物 IZO薄膜作为ITO的替代物，正得到越来越广泛的关注。 透明导电IZO薄膜 透明导电IZO薄膜 组分可调：多重物理化学特性。 低温制备：塑性好，高迁移率。 功函数高：可用于OLED。 与ITO相比： 功函数高，用于OLED IZO能够减小阳极空穴势垒，提高空穴注入效率 5.0 eV 4.7 eV 透明导电IZO薄膜 Han-Ki Kim，Surface Coatings Technology 203 (2008) 652–656 透明导电IZO薄膜 IZO为阳极的OLED开启电压低，发光亮度高 2 4 3 1 3 3 报 告 内 容 研 究 意 义 实 验 方 法 实 验 成 果 课 题 总 结 国际上关于IZO薄膜的研究 磁控溅射 脉冲激光沉积（PLD） 化学气相沉积（CVD） 溶胶—凝胶沉积 喷雾热分解 高 能 电 子 束 瞬 间 烧 蚀 粒子能量大 化学计量比一致 脉冲等离子体镀膜设备原理图 全新的制备方法：脉冲等离子体沉积法（PPD） 创新点 PPD的特点 制备方法 PPD PLD CVD Sputtering 成分与靶材一致性 好 好 差 化学度纯 好 差 好 沉积速率可变性 差 差 好 靶材可变性 差 很差 好 好 好 好 好 2 4 3 1 3 3 报 告 内 容 研 究 意 义 实 验 方 法 实 验 成 果 课 题 总 结 按成分配比 In2O3:ZnO 将粉末混均匀 干压成形 大气氛围 温度：1000 ℃ 时间：10 h 普通研钵 粉末压片机 管式电阻炉 IZO靶材的制备 成分比为国际上主流的三种IZO ：富In，In-Zn相当，富Zn IZO靶材的结构 PPD制备IZO薄膜(In2O3:ZnO=1:3) PPD制备IZO薄膜的工艺条件 工作气体 O2 工作压强 2.2 Pa 基板温度 室温~350 ℃ 工作电压 -19 kV 工作电流 3.0 mA 脉冲频率 2.0 Hz 沉积时间 60 min. IZO薄膜(In2O3:ZnO=1:3)的光电性能 电阻率： 1.63×10-3 Ω·cm 可见光区平均透射率：80% 波 长 (nm) 透射率 （%） IZO薄膜 电阻率 （Ω·cm） 可见光 透射率 载流子 浓度 （cm-3） 迁移率 （cm2/V·s） 温度 （℃） 制备 方法 年份 In2Zn3O6 1.00×10-3 80-85% 4.00×1020 20.0 500 PLD 1999 In2Zn3O6 6.67×10-4 90% 3.40×1020 27.0 500 PLD 2000 In2Zn3O6 1.63×10-3 86% 1.47×1020 26.1 350 PPD 2010 与国际研究水平对比 电学性能不理想，转为研究富In含量的IZO薄膜（10 wt.% ZnO） PPD制备IZO薄膜(10 wt.%) PPD制备IZO薄膜的工艺条件 工作气体 O2 工作压强 2.2 ~ 3.2 Pa 基板温度 室温 工作电压 -19 kV 工作电流 3.0 mA 脉冲频率 ~ 2.0 Hz 沉积时间 20~60 min. IZO（10 wt.%）薄膜结晶性随温度变化关系 不同衬底温度下沉积的IZO薄膜的XRD谱图 IZO （10 wt.%）薄膜电学性能随氧压的变化关系 IZO薄膜的电阻率、载流子浓度和载流子迁移率随氧压的变化关系 IZO （10 wt.%）薄膜电学性能随厚度的变化关系 IZO薄膜的电阻率、载流子浓度和载流子迁移率随厚度的变化关系 IZO （10 wt.%）薄膜电学性能随温度的变化关系 IZO薄膜的电阻率、载流子浓度和载流子迁移率随温度的变化关系 IZO （10 wt.%）薄膜光学性能随氧压的变化关系 IZO薄膜在可见光范围内的透射率随氧压的变化关系 氧压 （Pa） 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 透射率 （%） 80.7 80.9 83.7 83.9 85.6 IZO （10 wt.%）薄膜光学性能随厚度的变化关系 IZO薄膜在可见光范围内的透射率随厚度的变化关系 厚度 （nm） 251 324 460 582 703 透射率 （%） 91.2 88.8 88.6 85.4 80.7 IZO （10 wt.%）薄膜光学性能随温度的变化关系 IZO薄膜在可见光范围内的透射率随温度的变化关系 温度 （℃） RT 100 200 300 400 透射率 （%） 80.7 82.1 83.2 84.9 87.0 IZ