传感器原理课件解析.pptVIP

* * * * * * 在光线作用下能使电子逸出物体表面，也称外光电效应。用这种原理制成的光电元件主 要有真空光电管和光电倍增管等，特别是用这种原理制成的辐射计数管仍在普遍使用苫。 * * * * 如果光线照射在太阳能电池上并且光在界面层被吸收，具有足够能量的光子能够在P型硅和N型硅中将电子从共价键中激发，以致产生电子－空穴对。界面层附近的电子和空穴在复合之前，将通过空间电荷的电场作用被相互分离。电子向带正电的N区和空穴向带负电的P区运动。通过界面层的电荷分离，将在P区和N区之间产生一个向外的可测试的电压。此时可在硅片的两边加上电极并接入电压表。对晶体硅太阳能电池来说，开路电压的典型数值为0.5～0.6V。通过光照在界面层产生的电子－空穴对越多，电流越大。界面层吸收的光能越多，界面层即电池面积越大，在太阳能电池中形成的电流也越大。[1] * * * * * * * * 光纤流速传感器，主要由多模光纤、光源、铜管、光电二极管及测量电路所组成。多模光纤插入顺流而置的铜管中，由于流体流动而使光纤发生机械变形，从而使光纤中传播的各模式光的相位发生变化，光纤的发射光强出现强弱变化，其振幅的变化与流速成正比，这就是光纤传感器测流速的工作原理。  所谓多普勒效应，即当波源相对于介质运动时，波源的频率与介质中的波动频率不相同 * * * * * * * * * * * * * * 　磁阻磁头是基于“磁阻效应”的，磁阻效应是指，当磁性材料处于一个外部磁场中时，如果磁场的方向和磁性材料中电流的方向不同，那么该磁性材料的电阻会随 着施加于它的磁场的强度而变化，尽管这种变化是十分微弱的。除了磁性材料，半导体材料也具有磁阻效应，半导体材料中的载流子（电子和空穴）运动时会产生磁 场，当这个磁场与外界磁场相互作用时会产生“洛伦兹”力，洛伦兹力会使载流子的运动方向发生偏转，使运动路径增长，也就相当于增加了电阻（磁性材料同 理）。 * * * * * * * * * 这个定律是专业人士才研究、关注的，一般生产、使用环节的人士不太了解，简单说明就是：用高纯度铂丝做标准电极，假设镍铬-镍硅热电偶的正负极分别和标准电极配对，他们的值相加是等于这支镍铬-镍硅的值。 * 应用:由于热电偶E-T之间通常呈非线性关系,当冷端温度不为0℃时，不能利用已知回路实际热电势E(t,t0)直接查表求取热端温度值;也不能利用已知回路实际热电势E(t,t0)直接查表求取的温度值，再加上冷端温度确定热端被测温度值，需按中间温度定律进行修正。初学者经常不按中间温度定律来修正! * * * * * * * * * * * * * * * * 例如，钢与空气的声阻抗特性相差10万倍，故超声波几乎不通过空气与钢的介面，全部反射 * * * 应用 光电传感器在工业上的应用可归纳为辐射式(直射式)、吸收式、遮光式、反射式等四种基本形式。 3.11 光电传感器 3.11 光电传感器 3.11 光电传感器 3.11 光电传感器 案例：光电鼠标就是利用LED与光敏晶体管组合来 测量位移。 3.11 光电传感器 亮度传感器： 通过检测周围环境的亮度，再与内部设定值相比较，调整光源的亮度和分布，有效利用自然光线，达到节约电能的目的。 3.11 光电传感器 相机测距反射式光电传感器 3.11 光电传感器 3.12 光纤传感器 物性型光纤传感器是利用光纤对环境变化的敏感性，将输入物理量变换为调制的光信号。 1）物性型光纤传感器 均衡压力下，光弹性效应引起光纤折射率、形状和尺寸的变化，导致光的相位变化和偏振面旋转 点压力下，光纤局部变形使光纤折射率不连续变化导致光散乱而增加损耗，引起光振幅变化 光纤流速传感器 3.12 光纤传感器 流体流动而使光纤发生机械变形，使光纤中传播的各模式光的相位发生变化，光纤的发射光强出现强弱变化，其振幅的变化与流速成正比 结构型光纤传感器是由光检测元件与光纤传输回路及测量电路所组成的测量系统。其中光纤仅作为光的传播媒质，所以又称为传光型或非功能型光纤传感器。 2）结构型光纤传感器 3.12 光纤传感器 3.13 CCD固态图象传感器 MOS(Metal Oxide Semiconductor)光敏元的结构是在半导体(P型硅)基片上形成一种氧化物(如二氧化硅)，在氧化物上再沉积一层金属电极，以此形成一个金属-氧化物-半导体结构元 (MOS)。 在半导体硅片上按线阵或面阵排列MOS单元，如果照射在这些光敏元上的是一幅明暗起伏的图像，则这些光敏元上就会感生出一幅与光照强度相对应的光生电荷图像。 3.13 CCD固态图象传感器 高的集成度：一个半导体硅片上集成上万个 具有自扫描能力：可将光生电荷依次有规则地串行