场效应管放大电路要点分析.pptVIP

二、N沟道耗尽型MOSFET 一、JFET的结构和工作原理 3.主要参数 动态分析与JFET相同 动态分析与JFET完全相同（忽略） gm,rds给出 本章重点 结型场效应管和金属-氧化物-半导体场效应管的工作原理、特性曲线，参数 gm、rds的含义 场效应管的低频小信号模型及其动态分析 FET放大器和BJT放大器的异同点 四个区 恒流区的特点： △ iD /△ vGS = gm ≈常数 即： △ iD = gm △v GS （放大原理） （a）可变电阻区 （预夹断前） （b）恒流区也称饱和区 （预夹断后） （c）夹断区（截止区） （d）击穿区 可变电阻区 恒流区 截止区 击穿区 动画演示 2. 转移特性曲线： iD=f (vGS )│vDS=常数 可根据输出特性曲线作出转移特性曲线。 例：作vDS=10V的一条转移特性曲线： 动画演示 实验表明: （当VP?vGS?0时） （1）夹断电压VP 当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例50μA)时， 栅-源极间所加的电压即夹断电压。 （2）饱和漏极电流IDSS 在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结 型场效管管子所能输出的最大电流。 （5）直流输入电阻RGS 它是在漏-源极间短路的条件下，栅-源极间加一定电压时，栅-源 极间的直流电阻。结型场效应管RGS大于107Ω。 （3）最大漏-源电压V(BR)DS 指管子沟道发生雪崩击穿引起iD急剧上升时的vDS值。V(BR)DS的大小 与vGS有关，对N沟道而言，|vGS|的值越大，则V(BR)DS越小。 （4）最大栅-源电压V(BR)GS 指栅-源极间的PN结发生反向击穿时的vGS值，这时栅极电流由零而 急剧上升。 （6） 低频跨导gm ******* gm反映了栅压对漏极电流的控制作用，单位是mS(毫西门子)。 （8） 最大漏极功耗PDM PDM= vDS iD，与双极型三极管的PCM相当。 （7）输出电阻rd rd反映了漏-源电压vDS对iD的影响。在饱和区内，iD几乎不随vDS而变化，因此，rd数值很大，一般为几十千欧?几百千欧。 定义： 可由式 求 即： （当VP?vGS?0时） 一. FET的直流偏置电路及静态分析 保证管子工作在饱和区，输出信号不失真 4. 3 JFET场效应管放大电路 1.自偏压电路 VGS =-IDR 注意：该电路产生负的栅源电压，所以 只能用于需要负栅源电压的电路。 计算Q点：VGS 、 ID 、VDS 已知VP ，由 可解出Q点的VGS 、 ID VDS =VDD- ID (Rd + R ) 再求： VGS = - IDR 2 P GS DSS D ) 1 ( V V I I - = ID + + + － g T Rd R R g C1 C2 vi VDD C d s － vo 2.分压式自偏压电路 可解出Q点的VGS 、 ID 计算Q点： 已知VP ，由 该电路产生的栅源电压可正可负，所以适用于所有的场效应管电路。 VDS =VDD- ID (Rd + R ) 再求： + + - - g T Rd R Cb1 vo vi +VDD C d s Rg1 Cb2 Rg2 Rg3 + + 二、FET的交流小信号模型分析法 与双极型晶体管一样，场效应管也是一种非线性器件，在交流小信号情况下，也可以由它的线性等效电路—交流小信号模型来代替。 研究电压、电流间的微变关系时，要用全微分表示，即 —称为低频跨导,表征vGS对iD的控制能力 —rd为场效应管的输出电阻,表明vDS对iD的影响程度 1. FET的小信号模型 - + + d g s vGS v ds iD - 高频模型 低频模型 + ?a + - Vds - S rgs rd g d id . Vgs . gmVgs . 2.应用小信号模型法分析共源FET放大电路 vi vo - + C Rg1 T Cb1 +VDD R g s d Rd RL + - Cb2 Rg2 Rg3 + + 分析：画出共源放大电路的交流小信号等效电路。 （1）求电压放大倍数: （2）求输入电阻: （3）求输出电阻: Vi Vo gmVgs . + - + g d Vgs Rg3 Ri RL - S - + Ro Rd R