第19讲2011振荡器.pptVIP

砷化镓体效应二极管（Gunn管） Gunn管的结构 N型砷化镓半导体 两边接上电极 高碜杂N+层用于增大接触 等效电路： R：负阻；C：等效电容； Rs：接触电阻；Cp，Lp：封装电容和电感。 砷化镓体效应二极管（Gunn管） 能带结构： 主谷和子谷 主谷电子迁移速度大，子谷电子迁移速度低 伏安特性： 电压低时，电子主要在主谷，电子迁移率高，电阻少 大于临界场强时，电子向子谷跃迁，平均迁移率降低，电阻增大，形成负阻区 当电子全部跃迁到子谷后，电子迁移率低，电阻大 震荡工作区：负阻区 砷化镓体效应二极管（Gunn管） 震荡过程： 加上电压后，碜杂低的场强高，首先超过阀值，电阻增大，电荷的积累形成偶极畴 电荷在偶极畴积累，畴内场强增大，畴外场强减少，使偶极畴增大，直至形成稳定高场畴 稳定的高场畴在场作用下向阳极飘移 到达阳极后形成脉冲电流，场畴消失 不断重复形成震荡 震荡周期取决于高场畴漂移周期 雪崩二极管（Reed） 利用雪崩效应和渡越时间结合产生负阻 结构： P+NIN+ I层：杂质浓度极低，为高阻区。 PN结为雪崩区 I层为漂移区 场强分布 高碜杂区电场低 PN结为高场区 I层绝缘区场强恒定 PN结场强大于临界值时击穿，发生雪崩效应，大量载流子进入I区形成电荷层向阳极漂移形成脉冲电流 雪崩二极管（Reed） 负阻形成： 在临界直流电压加上交流电压（a） 0-t1，形成雪崩 在