李晋闽半导体照明研发及产业概述深圳报告资料.pptVIP

* * * LED结构制作工艺设备19台套，大部分设备购买时都考虑到平台的柔性和工 艺的灵活性。可以满足不同结构器件的工艺要求。 已经初步形成一定的后工序加工能力，完成从芯片测试、加工、封装和老化 筛选到应用组装的连续加工。其中减薄、划片、裂片、分选等设备是产业化 型设备。 LED材料和器件测试分析设备13台套，平台已经基本建成从材料成份、结构 分析、测试到工艺结果表征的仪器，基本满足材料生长和LED器件研发过程 的测试和分析。 概要 概要 * 4、前瞻技术——深紫外LED开发 发光波长292 nm，输出功率2.055 mW@20 mA 二、半导体照明研发及产业概况 4、前瞻技术——深紫外LED开发 杀菌率90% 二、半导体照明研发及产业概况 以企业为主体的100流明/瓦制造技术提前完成任务指标 芯片国产化比例达到52% 大功率封装技术基本与国际保持同步 产业化关键技术取得阶段性突破 国内外功率型白光LED技术指标对比（2010年8月） 分类 发光效率(lm/W) @350mA 显色指数 “十一五”国内产业水平 90～100 80 “十五”末国内产业水平 30～40 70 韩国、我国台湾地区 90～110 80 美、日、欧 100-130 80 （数据整理：半导体照明产业技术创新战略联盟) 我国LED芯片国产化趋势 二、半导体照明研发及产业概