半导体制造工艺清洗工艺资料.ppt

* 半导体制造工艺 第3章　清 洗 工 艺 第3章　清 洗 工 艺 3.1　引言3.2　污染物杂质的分类3.3　清洗方法概况3.4　常用清洗设备——超声波清洗设备3.5　质量控制 3.1　引言 表3-1　国际半导体技术指南——清洗技术 3.1　引言 表3-1　国际半导体技术指南——清洗技术 3.2　污染物杂质的分类 表3-2　各种沾污的来源和相对的影响 3.2　污染物杂质的分类 3.2.1　颗粒 　　颗粒主要是一些聚合物、光刻胶和蚀刻杂质等。通常都是在工艺中引进的，工艺设备、环境、气体、化学试剂和去离子水均会引入颗粒。这些颗粒一旦粘附在硅表面，则会影响下一工序几何特征的形成及电特性。根据颗粒与表面的粘附情况分析，其粘附力虽然表现出多样化，但主要是范德瓦尔斯吸引力，所以对颗粒的去除方法主要以物理或化学的方法对颗粒进行底切，逐渐减小颗粒与硅表面的接触面积，最终将其去除。 3.2　污染物杂质的分类 3.2.2　有机残余物 　　有机物杂质在IC制程中以多种形式存在，如人的皮肤油脂、净化室空气、机械油、硅树脂、光刻胶、清洗溶剂等，残留的光刻胶是IC工艺中有机沾污的主要来源。每种污染物对IC 制程都有不同程度的影响，通常会在晶圆表面形成有机物薄膜阻止清洗液到达晶圆表面，会使硅片表面无法得到彻底的清洗。因此有机残余物的去除常常在清洗工序的第一步进行。 3.2　污染物杂质的分类 3.