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7. 互補式MOSFET 節目錄 (1) 互補式金氧半場效電晶體（CMOS）是將Ｐ 　　 型金氧半（PMOS）和N型金氧半（NMOS） 這兩種增強型的電晶體聯接成一個互補式 　　 的金氧半裝置。 (2) 工作原理 若　為正，則 PMOS OFF，NMOS ON， 。 若 ，則 PMOS ON，NMOS OFF， 。 完成反相器的動作。 節目錄 (3)優、缺點 輸入阻抗極高，有很高的扇出數。 抵補偏移電壓=0，是極優秀的訊 號截波器。 熱穩定性佳。 雜訊低。 製作簡易，在積體形式下所占體 積少。 可當作雙向對稱的類比開關。 增益與頻帶寬度之乘積遠小於 一般電晶體。 操作速率比雙極性電晶體慢（如高頻響應不佳）。 優點 缺點 節目錄 1. N通道空乏型 MOSFET之 轉換特性曲線及汲極特性曲線 (1) 電壓可為負，亦可為正。 (2) 改變 　 電壓大小可以改變通道的傳導 性，所以MOSFET為電壓控制的裝置。 (3) 汲極電流 與汲、源極間的飽和電流與 JFET相同，呈現肖克力方程式的關係。 8-5　MOSFET 之特性曲線 ………………………………………………………………………….… 節目錄 節目錄 (1) P通道空乏型MOSFET與N通道空乏型MOSFET的工　　 作原理相似，只是其電壓、電流方向相反而已。 (2) 應特別注意空乏模式與增強模式之操作和N通道空 乏型有何不同之處。 (3) 操作方式 P 通道空乏型MOSFET的 轉換特性曲線 及汲極特性曲線 節目錄 節目錄 3. N通道增強型 MOSFET之 特性曲線及 轉換特性曲線 (1) 歐姆區 當　 很小，且 及 時 ，所感應之反轉層通道幾乎是等寬，如 同一半導體電阻。 電流方程式 式中K之典型數值約為0.3m A/V2。 同時受三極（ D、G、S）影響，所 以又稱為三極體區或電壓控制電阻區。 節目錄 節目錄 (2) 夾止區 (定電流 區或飽 和區) 當　 繼續增加達邊界條件時， 維持不變，僅與　 有關，而 與　 無關。 邊界條件 電流方程式為 　 值與增強型MOSFET的轉換 特性無關。 (3) 轉換曲線的抛物線方程式和JFET及空乏型 MOSFET不同，因為曲線在水平軸上是從 開始而非 ，且不會和垂直軸相交。 節目錄 4. P通道增強型MOSFET之轉換特性曲線及汲極 特性曲線 (1) 增強型MOSFET本身沒有預製通道。(2) 閘、源極間加負壓（即　　 ）始能產生通道。(3) 閘、源極間加正壓（即　　 ）或不加電壓　 （　　　）均無法產生通道，而使MOSFET呈 截止狀態。 節目錄 (4) 將VDS(負壓)轉換成VSD(正壓)，其判別式為： ? 歐姆區條件 ? 邊界條件 ? 通道夾止條件 ? 電流方程式 節目錄 1. 空乏型MOSFET之直流偏壓 8-6　MOSFET 之直流偏壓 ………………………………………………………………………….… 節目錄 (1) 閘、源極電壓　 可以接正電壓、負電壓或 　　為零。 (2) 分壓偏壓方式對空乏型MOSFET的偏壓設計 最重要，藉由　 的改變就可使 電壓為正　 　　、為負或為零。 (3) 公式 若　　 （　值較小），則　 為正， 工作於增強模式。 若 （ 值較大），則 為負， 工作於空乏模式。 若 ，則工作於零偏壓。 (4) 選擇 節目錄 2. 增強型MOSFET之直流偏壓 (1) 汲極回授偏壓 節目錄 ? 公式 上式中 ，為直流負載線， 解聯立方程式並注意增根 ? 增強型MOSFET的閘、源極電壓　 值必 　 須大於臨界電壓值 ，才能感應通道， 　 以產生汲極電流。 節目錄 (2) 分壓偏壓 節目錄 公式 式中 為直流負載線，解 聯立方程式 節目錄 8-5 MOSFET 之特性曲線 8-4 MOSFET 之構造及特性 8-3 JFET