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* * 半导体存储器的用途:用来存储大量的二值数据。是当今数字系统中不可缺少的组成部分。与计算机配合使用。 可编程逻辑器件的用途:可以由用户定义和设置逻辑功能的器件。结构灵活、集成度高、处理速度快和可靠性高。设计ASIC(专用集成电路)。 要求:掌握半导体存储器分类、特点,存储器地址范围的确定,了解存储器电路结构和工作原理。具体芯片的应用由计算机课程解决,可编程逻辑器件由EDA课程解决。 * 7.1 只读存储器(ROM) ROM的特点:具有非易失性,在切断电源之后, 数据也不会消失。ROM一般由专用的装置写入数 据,数据一旦写入,不能随意改写。 器件的分类:从制造工艺上看,有二极管ROM、 双极型ROM和MOS型ROM; 按存储内容存入方式分:固定和可编程ROM。 可编程ROM分为 :一次可编程存储器PROM、光可擦除可编程存储器EPROM、电可擦除可编程存储器EEPROM和快闪存储器等。 * 7.1 只读存储器(ROM) 一、ROM的基本结构 存储单元存放1位二值数据 存储单元按一定位数编组 每次读出一组(字)数据 一个字中所含的位数称为字长 输出控制电路含三态缓冲器 * 7.1 只读存储器(ROM) 一、ROM的基本结构 * 7.1 只读存储器(ROM) 一、ROM的基本结构 在实际应用中,常以字数和字长的乘积表示存储器的容量(也称为密度), 容量为256×4位的存储器, 256个字 字长4位 1024个存储单元 1K=210=1024 1M=220=1024K 1G=230=1024M * 7.1 只读存储器(ROM) 二、二维译码 行译码 列译码 A7A6A5A4A3A2A1A0 0 0 1 1 * 7.1 只读存储器(ROM) 三、可编程ROM 1. 固定ROM:又称为掩模ROM,这种ROM在制造时,生产厂家利用掩膜技术把数据写入存储器中,一旦ROM制成.其存储的数据也就固定不变。 2. PROM:出厂时,存储内容全为1(或者全为0).用户可以根据自己的需要,利用通用或专用的编程器,将某些单元改写为0(或1)。如采用熔断丝结构,出厂时,熔丝是连通的,也就是全部存储单元为1,如欲使某些单元改写为0,只要通过编程,并给这些单元通以足够大的电流将熔丝烧断即可。熔丝烧断后不能恢复,因此,PROM只能改写一次。 * 7.1 只读存储器(ROM) 三、可编程ROM 3. EPROM:是采用浮栅技术生产。在写入数据前,必须上足够高的电压(如25V)。用紫外线或X射线照射擦除,恢复写入前的状态。数据写入需要通用或专用的编程器。封装外壳装有透明的石英盖板。 4. EEPROM:也是采用浮栅技术生产的可编程存储器,EEPROM电擦除的过程就是改写过程,它是以字为单位进行的。EEPROM具有ROM的非易失性,又具备类似RAM的功能,可以随时改写(可重复擦写1万次以上) 。大多数EEPROM内部都备有升压电路。只需提供单电源供电,便可进行读、擦除/写操作,这为数字系统的设计和在线调试提供了极大的方便。 应用:IC卡(串行EEPROM), * 7.1 只读存储器(ROM) 三、可编程ROM 5. FLASHROM:快闪存储器,就其本质而言,Flash Memory属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有ROM的特点,又有很高的存取速度,而且易于擦除和重写, 功耗很小。 应用:U盘,可编程单片机(如89C51内部程序存储器)等。 * 7.1 只读存储器(ROM) 四、ROM的读操作与定时图 * 7.2 随机存取存储器(RAM) 按照存储机理的不同,RAM又可分为静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)。 RAM使用灵活、方便,可以随时从其中任一指定地址读出(取出)或写入(存入)数据。但是RAM具有易失性,一旦失电,所存储的数据立即丢失。 * 7.2 随机存取存储器(RAM) 一、静态RAM(SRAM) 1、SRAM的基本结构及输入输出 * 7.2 随机存取存储器(RAM) 一、静态RAM(SRAM) 2、SRAM存储单元. 由锁存器(或触发器)构成 * 7.2 随机存取存储器(RAM) 一、静态RAM(SRAM) 3、SRAM操作与定时 * 7.2 随机存取存储器(RAM) 一、静态RAM(SRAM) 3、SRAM操作与定时 * 7.2 随机存取存储器(RAM) * 减少外部地址 总线的占用时间, 提高读写
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