硅基红外探测器的研究进展课件解读.ppt

1碲镉 汞 (MCT ) 探测率较高,当Hg1-xCdx Te 合金组份 x 从 0 变到 1 时, 禁带宽度从 0 变到 1.6eV , 量子效应高，材料均匀性比较差且很不稳定, 不易制成大面积的红外焦平面，也不容易与用硅制造的读出电路集成在一 起. 2AlGaAs/GaAs 多 量 子 阱 远 红 外 探 测 器(QWIP) 均匀性优于MCT，但不能在垂直光照射下激发，不易与硅集成 为此 ,人们对衬底材料的研究转向了硅, 硅材料不仅热导性好, 机械强度高和缺陷少 , 而且价格低廉,并能获得大直径单晶 ,同时硅的集成技术已发展到相当成熟的阶段, 使硅基器件在红外探测方面的应用越来越受到人们的重视. 硅基红外探测器 非本征硅红外探测器 Si1-xGex/Si 异质结红外探测器 PtSi 红外探测器 硅基 HgCdTe 红外探测器 Si1-xGex/Si 异质结红外探测器 Si1-xGex 与 Si 是两种晶格失配材料，如果在 Si 上外延生长Si1-xGex 的合金的厚度足够薄(小于临界厚度),可以获得无界面失配位错的 Si1-x Gex 应变层， 利用 MBE 和M OCVD 等现代薄膜生长技术, 已可以生长完美的Si1-xGex/Si 应变层超晶格材料 当 x 0.5 时 , Si1-xGex/Si应变层的带隙低于纯锗, 这意味着 Si1-x Gex/Si 有可能成为用于通信的 1.3μm ～ 1.55μm 红外光电探测器的理想材料 Si1-xGex/Si 应变层超晶格光电探测器,从 1986 年以来 AT T 、Bell 实验室的 Luryi等人就陆续取得了进展 1988 年 T .P .Pearsall等人[ 3] 依据直接跃迁机理, 制备了一个布里渊折叠 GeSi 超晶格红外探测器, 其红外响应波长为 1.4μm 1991 年美国麻省理工学院林肯实验室研制了一种分辨率为 320 ×244 的成像器, 该成像 器采用 响应波 长超过 10.5μmSi1-xGex/Si 异质结红外探测器 Si1-x Gex/Si 异质结红外探测器的响应波长可调 , 可同时工作于 3μm ～ 5μm 和 8μm～ 14μm 两个大气窗口, 在长波范围内量子效率高于硅化物肖特基势垒探测器，随着外延技术的发展 , 利用成熟的硅工艺技术能够制作均匀性好 、易于集成 、成品率高 、成本低 、热稳定性好的新型 Si1-xGex/Si 异质结红外探测器 ,使硅材料技术进入到新的领域. PtSi 红外探测器 沉积在 P 型 Si 衬底上 PtSi 薄膜主要用于3μm ～ 5μm 波长范围的红外探测, 由于其可采用标准的集成电路工艺在硅衬底上制备，同时在二维大面阵红外探测器阵列中,它还具有其他探测材料无法比拟的均匀响应度，因此, 可制造出具有低噪声 、低成本 、大面积、均匀性好的探测器阵列。 PtSi 肖特基势垒红外焦平面良好的响应均匀性和大规模集成电路工艺的高度兼容性使其在长线阵和大面积阵列中得到迅速发展,在短、中波红外的应用已走向实用化, 在3μm ～ 5μm 的中红外波段的军用和商用市场上成为 HgCdTe 红外探测材料的有力竞争对手,具广阔的应用前景 新型硅基红外探测器的研制 从原理上来讲，该传感器属于热探测器的气动探测器，传统的气动探测器高莱探测器原理为 新结构的特殊点： 新结构是在硅基上实现的 新结构内冲入的是一种特殊气体，它对特定波段的红外线有明显的吸收 新结构内没有吸收膜 直接测量形变导致的电容变化 总之新型红外探测器的工作基础可以概括为两点 分子吸收或辐射电磁波能量的选择性 近红外段（0.76~25um)红外辐射的能量很大 我们正是利用了上述两个特点，制成了红外探测器，即利用特殊气体分子选择性吸收近红外波段较大的辐射能后产生膨胀。通过膨胀导致的电容变化来间接探测红外线的存在和强度 这种新结构的优点 可在室温下工作，无需制冷 具有一定的选择性，通过选择不同的气体可制成不同波段的红外探测器 响应速度较快，灵敏度较高 可与现有硅工艺兼容，工艺简单，成本低，体积小。 研究前景 以硅为衬底材料研制的红外探测器, 克服了不易与集成电路工艺兼容的缺点, 可在硅衬底上采用硅集成电路工艺技术较好获取与处理信息, 并进一步降低了成本, 提高了成品率, 其军用、民用市场前景看好, 但器件均匀性有待改善, 填充系数还需增大, 并进一步提高探测率, 今后红外探测器将主要向中波和长波方向发展并开拓更为广阔的民用市场. 硅基红外探测器的研究进展 小组成员 11