微电子学第03讲-器件物理基础_二极管、三极管和MOS管分析报告.pptVIP

第二章 半导体物理和器件物理基础 第二章主要内容 1. 半导体及其基本特性 2. 半导体中的载流子 3. 半导体的电导率和载流子输运 4. pn结和晶体二极管 5. 双极型晶体管 6. MOS场效应晶体管 7. 大规模集成电路基础 第三部分：PN结 PN结的形成 突变结 缓变结 从能带角度看PN结(作业：试画出PN结的能带图) 作业：由掺杂费米能级求出无外加偏压、热平衡状态下的PN结势垒高度 答： 举例：掺杂浓度下硅基PN结的势垒高度 无外加偏压、热平衡条件下的载流子浓度分布图 无外加偏压、热平衡条件下空间电荷区宽度 举例：不同掺杂浓度下硅基PN结的空间电荷区宽度 正偏压：1. 能级 正偏压：2. 导电机理（正向注入、多数载流子、扩散） 反偏压：1. 能级 反偏压：2. 导电机理 （反向抽取、少数载流子、漂移） PN结的电流电压关系 PN结的反向击穿作业:PN结的反向击穿的原因有哪几种? PN结电容：1.势垒电容 影响势垒电容的因素 PN结电容：2.扩散电容 等效电路 金属—半导体接触（N型为例）1. 能带结构 金属—半导体接触（N型为例）2. 肖特基接触 金属—半导体接触（N型为例）3. 欧姆接触 作业:金属半导体接触有哪几种类型? 本节要点 第四部分：双极晶体管 基本结构 基本工作原理 共基极的电流传输 直流共基极的电流增益 直流共基极的电流增益 共射极及其直流电流增益 晶体三极管小结 目标：放大系数高 制备：发射结高掺杂 要求：基极宽度小于载流子扩散长度 晶体管的特性参数1-反向漏电流 晶体管的特性参数2-反向击穿电压 晶体管的特性参数3-频率特性（1） 晶体管的特性参数3-频率特性（2） 晶体管的特性参数3-频率特性（3） 晶体管的特性参数3-频率特性（4） 思考题 第五部分：MOS场效应晶体管 制作在P型衬底上(P-Substrate,也称bulk或body,为了区别于源极S，衬底以B来表示)，两个重掺杂N区形成源区和漏区，重掺杂多晶硅区(Poly)作为栅极，一层薄SiO2绝缘层作为栅极与衬底的隔离。 NMOS管的有效作用就发生在栅氧下的衬底表面—导电沟道(Channel)上。 由于源漏结的横向扩散，栅源和栅漏有一重叠长度为LD，所以导电沟道有效长度(Leff)将小于版图中所画的导电沟道总长度。我们将用L表示导电沟道有效总长度Leff，W表示沟道宽度。 宽长比(W/L)和氧化层厚度tox这两个参数对MOS管的性能非常重要。而MOS技术发展中的主要推动力就是在保证电性能参数不下降的前提下，一代一代地缩小沟道长度L和氧化层厚度tox。 MOSFET基本结构(截面) MIS结构 反型层的形成（n型衬底） 反型层的形成（p型衬底） 能带结构：反型层形成过程中界面能级的变化 作业：写出强反型的条件与阈值电压的关系 作业：考虑平带电压后，写出影响阈值电压的3个因素。 MIS结构的优点 MOSFET的工作区 直流I-V特性曲线—四个区域 直流I-V特性曲线—截止区 直流I-V特性曲线—线性区 直流I-V特性曲线—饱和电压、饱和漏电流 转移特性曲线—衬底偏置效应 沟道电阻 特性曲线的物理解释—截止区 特性曲线的物理解释—线性区 特性曲线的物理解释—饱和区临界点 特性曲线的物理解释—饱和区 沟道长度调制效应 MOS管的四种形式 集成电路中MOS管的符号 等比例缩小理论 NMOS管的简化结构 作业：简述反型层的形成过程 为了使MOS管的电流只在导电沟道中沿表面流动而不产生垂直于衬底的额外电流，源区、漏区以及沟道和衬底间必须形成反偏的PN结隔离，因此NMOS管的衬底B必须接到系统的最低电位点(例如“地”)，而PMOS管的衬底B必须要接到系统的最高电位点(例如正电源UDD)。 衬底的连接如图 (a)、 (b)所示。 衬底的连接 作业：MOS器件中衬底应该怎么链接？为什么？ 作业：Mos管的直流输出特性包括那4个区间 * * 自建电场 电场 电势Φ 势能-qΦ 费米能级连续 不同的掺杂费米能级变成统一的费米能级 特例： 费米能级不相等 赶走电子 赶走空穴 碰撞电离 反偏影响更大 作业:解释为什么重掺杂可以形成欧姆接触?