单片机原理与应用第三章要点详解.ppt

6．数据指针DPTR 是一16位专用寄存器，其高字节寄存器用DPH表示，低字节寄存器用DPL表示。既可作为16位寄存器（DPTR）使用，又可作为两个独立的8位寄存器（DPH、DPL）来使用。DPTR主要用来保持16位地址，当对64KB外部数据存储器RAM（或I/O口）空间寻址时，作间址寄存器用，指向外部数据存储器地址。 3.2.5 内部寄存器介绍 7．I/O端口P0～P3 专用寄存器P0、P1、P2和P3分别是I/O端口P0～P3的锁存器。 8．串行数据缓冲器SBUF 串行数据缓冲器SBUF用于存放欲发送或已接受的数据。它由两个物理上独立的寄存器组成，一个是发送缓冲器，一个是接受缓冲器（两个缓冲器共用一个地址）。 3.2.5 内部寄存器介绍 9．定时器/计数器 MCS-51子系列中有两个16位定时器/计数器T0和T1。它们各由两个独立的8位寄存器组成，共分为4个独立的寄存器；TH0、TL0，TH1、TL1。可以对这4个寄存器寻址，但不可把T0、T1当作一个16位寄存器来对待。 3.2.5 内部寄存器介绍 10．其他控制寄存器 IP、IE、TMOD、TCON、SCON和PCON寄存器分别包括有中断系统、定时器/计数器、串行口和供电方式的控制和状态位，这些寄存器将在有关章节中介绍。 3.2.5 内部寄存器介绍 3.3 MCS-51系列单片机外部存储器及其扩展 1．半导体存储器的分类 半导体存储器可分为两大类： 只读存储器 随机读写存储器 3.3.1 常用半导体存储器芯片 半导体 存储器 读写存储器 RAM 只读存储器 ROM 新型存储器 静态 RAM ： SRAM ，不需刷新 动态 RAM ： DRAM ，需要刷新 掉电后信息丢失 掩膜 ROM ： MROM ，厂家写入，不可更改 可编程 ROM ： PROM ，用户可一次写入，不可更改 紫外线擦除可编程ROM：EPROM ，可擦除后重写 电可擦除可编程 ROM ： EEPROM ，用户可擦除后重写 掉电后 不会丢 失信息 快速电可擦除可编程 ROM ： FLASH - ROM 非易失性 RAM ： NVRAM ， SR AM 与 EEPROM 的共同体 比ROM的读 写速度快， 且掉电后 信息不丢失 图3-4 半导体存储器的分类 2．单片机系统中常用的 典型半导体存储器芯片介绍 （1）EPROM芯片： EPROM芯片有许多系列，这里介绍一种常用的系列27×××。这个系列的EPROM存储器芯片有: 2716、2732、2764、27128、27256、27512、27010、27020、27040 它们的存储器容量分别是 2K×8、4K×8、8K×8、32K×8、64K×8、128K×8、256K×8、512K×8。 地址引脚数与容量的关系：n=log2N 它们的引脚功能列于表3-4。 图3-5给出了2764的引脚图 图3-5 EPROM 2764芯片引脚图 其中: 　　 A12~A0: 13位地址线。 　 　D7~D0: 8位数据线。 : 片选信号, 低电平有效。 : 输出允许信号, 当 =0 时, 输出缓冲器打开, 被寻址单元的内容被读出。 　　 VPP: 编程电源, 当芯片编程时, 该端加上编程电压 (依型号而定，范围在+12.5V~+25V); 正常使用时, 该端加+5 V电源。 　　 (NC为不用的管脚)。 HM6116是存储容量为2K×8的高速静态CMOS可读写半导体存储器集成电路。其引脚如右图所示 ： （2）SRAM芯片： SRAM 6264引脚图 （3）E2PROM芯片： 电可擦除可编程只读存储器E2PROM E2PROM是电可擦除可编程的半导体存储器，比EPROM在使用上要方便得多，它具有RAM的在线随机读写性能，掉电后信息不丢失。+5V供电下即可进行编程，而且对编程脉冲宽度一般没有特殊要求，不需专门的编程器和擦除器，是一种特殊的可读写存储器。E2PROM 2864的引脚图如图 3-8 1 28 2 27 3 26 4 25 5 24 6 23 7 22