二极管与三极管要点详解.pptVIP

模电二极管三极管 主讲人：吴东权 二极管 二极管的分类 二极管的工作原理 二极管应用 PN结的单向导电性（即正向导通，反向截止） 一、正偏特性 二、反偏特性 结论： PN结具有单方向导电特性。 PN结——伏安特性曲线 三、 PN结（二极管）的击穿特性 稳压管 三极管 三极管的分类 三极管的结构 三极管的三种工作状态和工作原理 三极管应用——开关电路 三极管的三种工作状态 三极管的三种工作状态 两个要点 三极管的放大作用,主要是依靠它的IE能通过基区传输,然后顺利到达集电极而实现的。故要保证此传输,一方面要满足内部条件,即发射区掺杂浓度要远大于基区掺杂浓度,基区要薄;另一方面要满足外部条件,即发射结正偏,集电结要反偏。 输入电压的变化,是通过其改变输入电流,再通过输入电流的传输去控制输出电压的变化,所以是一种电流控制器件。 三极管的应用 1放大信号 2增加驱动电流，三极管开关 * * PN结的特性 PN结的基本特性为单向导电性（即正向导通，反向截止）；除了单向导电性外还有反向击穿特性、温度特性、电容特性。 正偏：是正向偏置的简称，正向偏置是指给PN结的P端接电源的“+”极，N端接电源的“-”极的一种接法。而PN结的正偏特性就是给PN结加正偏电压时所表现出的特性。 反偏：是反向偏置的简称，反向偏置是指给PN结的P端接电源的“-”极，N端接电源的“+”极的一种接法。而PN结的反偏特性就是给PN结加反偏电压时所表现出的特性。 E外 I PN结正偏 阻挡层变薄 内建电场减弱 多子扩散少子漂移 多子扩散形成较大的正向电流I PN结导通 电压V ? 电流I ?? PN结呈小电阻特性，理想情况下相当于开关闭合。 E外 PN结反偏 阻挡层变宽 内建电场增强 少子漂移多子扩散 少子漂移形成微小的反向电流IS PN结截止 IS与V 近似无关。 温度T ? 电流IS?? IS PN结呈大电阻特性，理想情况下相当于开关断开。 即正向导通，反向截止。 二极管（PN结）的伏安特性方程式 其中： IS为反向饱和电流（其值很小，近似为0），其值与外加电压近似无关，但受温度影响很大。 正偏时： 反偏时： （非线性关系） ID(mA) V(V) VD(on) -IS Si Ge VD(on)= 0.7V IS=(10-9~10-16)A 硅PN结 VD(on)= 0.25V 锗PN结 IS=(10-6~10-8)A V VD(on)时 随着V ? 正向R很小 I ?? PN结导通； V VD(on)时 IR很小(IR? -IS) 反向R很大 PN结截止。 温度每升高10℃，IS约增加一倍。 温度每升高1℃， VD(on)约减小2.5mV。 PN结受温度影响大（温度特性） |V反|?=V(BR)时，? IR急剧 ??? ? PN结反向击穿。 V(BR) ID(mA) V(V) 反向击穿分：雪崩击穿和齐纳击穿两种。这两种击穿都是可逆的。 但若PN结上电流过大，时间过长而产生过热就会产生热击穿而烧坏管子。（应避免） 利用PN结的反向击穿特性可制成稳压二极管。 稳压二极管 UZ ID(mA) U(V) IZmin IZmax + - VZ 利用PN结的反向击穿特性，可制成稳压二极管。 要求：Izmin Iz Izmax 稳压二极管的主要参数 1、稳定电压UZ :在反向击穿区时的稳定工作电压， UZ是根据要求挑选稳压管的主要依据之一。 2、稳定电流IZ :是使稳压管正常工作时的参考电流，一般说来工作电流较大时稳压性能较好。 3、动态内阻rZ : rZ ＝ΔU / Δ I ，其值越小越好。 4、额定功耗PZ : PZ ＝UZ IZM 　　截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。 　　放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。 　　饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。 发射结应加正向电压（正向偏置） 集电结应加反向电压（反向偏置） *