晶体管(三极管)识别与检测教程解析.ppt

晶体管的识别与检测 认识晶体管 晶体管（transistor）是最常用的固体半导体器件之一。具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能，通常在开关、放大、混频电路中被使用。 晶体管有三个极：双极性晶体管的三个 极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector） 三极管主要参数 三极管直流参数 三极管交流参数 三极管极限参数 三极管输入特性曲线 三极管输出特性曲线 三极管直流参数 （1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。 （2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)IcbooIcbo和Iceo受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。 （3）发射极---基极反向电流Iebo集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。 （4）直流电流放大系数β1（或hEF）这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即：β1=Ic/Ib 三极管交流参数 （1）交流电流放大系数β（或hfe）这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比，即：β=△Ic/△Ib一般晶体管的β大约在10-200之间，如果β太小，电流放大作用差，如果β太大，电流放大作用虽然大，但性能往往不稳定。 （2）共基极交流放大系数α（或hfb）这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比，即：α=△Ic/△Ie因为△Ic＜△Ie，故α＜1。高频三极管的α＞0.90就可以使用α与β之间的关系：α=β/（1+β）β=α/（1-α）≈1/（1-α） （3）截止频率fβ、fα当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截止频率fβ；当α下降到低频时的0.707倍的频率，就是共基极的截止频率fαofβ、fα是表明管子频率特性的重要参数，它们之间的关系为：fβ≈（1-α）fα （4）特征频率fT因为频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。 三极管极限参数 （1）集电极最大允许电流ICM当集电极电流Ic增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2，这时的Ic值称为ICM。所以当Ic超过ICM时，虽然不致使管子损坏，但β值显著下降，影响放大质量。 （2）集电极----基极击穿电压。当发射极开路时，集电结的反向击穿电压称为基极击穿电压。 （3）发射极-----基极反向击穿电压。当集电极开路时，发射结的反向击穿电压称为基极反向击穿电压。 （4）集电极-----发射极击穿电压BVCEO。当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，使用时如果Vce＞BVceo，管子就会被击穿。 （5）集电极最大允许耗散功率PCM集电流过Ic，温度要升高，管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM。管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积，即Pc=Uce×Ic.使用时庆使Pc＜PCM。PCM与散热条件有关，增加散热片可提高PCM。 三极管输入特性曲线 三极管输出特性曲线 晶体管分类 晶体管可以按照其材料、工艺、电流容量、工作频率、封装结构、功能和用途进行分类。 常见的晶体管种类有：半导体晶体管、电力晶体管、光晶体管、双极晶体管、双极结型晶体管 、场效应晶体管、静电感应晶体管、单电子晶体管、绝缘栅双极晶体管等。 晶体管主要参数（同三极管几乎一样） 晶体管的主要参数有： 电流放大系数 耗散功率 频率特性 集电极最大电流 最大反向电压 反向电流等 用万用表测晶体管的基极和型号 选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的； 反之，若用黑表笔接一个管脚，重复上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。 晶体管优越性  用万用表测集电极和发射极 因为三极管发射极和集电