VLSI设计基础4.pptVIP

* 备注：引入ROM的真实结构：与非结构和或非结构。 * 备注：采用动态结构的目的是两个问题：1、常通晶体管是电阻，在ROM输出为1时，不论与非门还是或非门，其NMOS管均是截止的，是有限的负载电阻和无穷大开路电阻的比值。但是，在输出为0时，因为，负载管是常通的，输出0电平的有效幅值取决于负载和工作管电阻的比值，为保证0的有效性，希望负载电阻大大于工作管电阻。造成位上上升时间大大于下降时间，因为有许多位输出，有高有低，使得ROM输出信号周期由上升时间决定。2、因为始终存在直流通路，因此，功耗较大。 * 备注：强调多晶硅自对准形成MOS管。 * 备注：采用N+大块版图是利用了版图与场氧共同形成屏蔽掺杂的保护。 * 备注：强调或非门也可以采用类似ROM的结构。 * 备注：强调MOS管是一个信号传输器件，因此，输出值同时由开关控制与传输电平决定，而逻辑门中的NMOS仅传输0电平，PMOS仅传输1电平。 * 备注：讲解提升逻辑的工作过程。 * 4/10.8.2008 * 课堂练习：当K1K0=00，A+B；01，AB；10，A NXOR B；11 A * 备注：强调PLA作为一种特定的结构，必须是两个不同的平面。 * 2009.10.14 * 备注：讲解PLA中“与项”的上下位置变化不影响逻辑关系，正如与-或表达式中的与项在前在后都不影响逻辑关系。 * 备注：介绍先读源、栅、漏并编号，再根据编号连接成电路，再分析逻辑关系。 * 备注：由介质层中电荷量与极性决定MOS管阈值电压，引入浮置栅的结构与阈值调整的作用。 （*） 当用“或非-或非”结构PLA实现逻辑时必须输入取反、输出取反。 A、B的“或非”函数枚举： A+B、A+B、A+B、A+B A、B的“与”函数枚举： A B、A B、A B、A B（=A+B） 4.3 PLA及其拓展结构 “或非-或非”阵列结构 .3 （*） 解：这个逻辑函数就是例2描述的逻辑，我们在例2中采用的是ROM+MUX的结构，现在采用PLA进行设计。首先需将函数化为标准的与-或表达式： .3 例3：用或非-或非结构的PLA实现下面的逻辑 （*） .3 例3：用或非-或非结构的PLA实现下面的逻辑 （*） .3 例3：用或非-或非结构的PLA实现下面的逻辑 （*） .3 例3：用或非-或非结构的PLA实现下面的逻辑 （*） MGA是在PLA基础上变化而成的多级门结构，虽然它被称为门阵列，实际上它是多级PLA的组合，一个最明显的标志是它对输入、输出位置的限制。 因为在每块PLA中，“与平面”只能外部输入，内部输出，“或平面”只能内部输入，外部输出。 .3 4.3 PLA及其拓展结构 多级门阵列(MGA) （*） 4.3 PLA及其拓展结构 多级门阵列(MGA) （*） .3 4.3 PLA及其拓展结构 多级门阵列(MGA) （*） .3 4.3 PLA及其拓展结构 多级门阵列(MGA) （*） .3 4.3 PLA及其拓展结构 多级门阵列(MGA) （*） 4.4 门阵列 门阵列是一种规则化的版图结构。门阵列版图采用行式结构，在单元行内规则的排列着以标准门定义的门单元。 严格地讲，门阵列不是一个实现逻辑的电路结构，它是一种版图形式。 .4 （*） .4 4.4 门阵列 （*） 4.4 门阵列 .4 （*） .4 4.4 门阵列 门阵列单元 （*） .4 4.4 门阵列 门阵列单元 （*） S1 S2 S2 S3 S4 S5 S7 S6 .4 （*） 1 2 3 4 5 6 1 6 2 5 2 5 4 3 .4 4.4 门阵列 门阵列单元 （*） .4 4.4 门阵列 门阵列单元 （*） 电源、地线必须用铝引线，为了使电源和地线通达各个单元，它们应设计成叉指形。电源、地线在各单元行的位置、宽度必须一致。对于外部的输入、输出单元的电源和地线的设计采用“回” 字型结构，以保证电源和地线能够通达到每一个单元。 采用垂直布线法，即水平方向用铝线作为各单元间的互连线。垂直方向用多晶硅条或扩散条作为穿越单元行的通信以及铝引线交叉的通道。由于铝线与多晶硅条或扩散条可以互相跨越，因此它们可以共用同一个布线通道。 采用“行式结构”，即单元行和布线通道间隔排列，这种间隔便于CAD软件实现自动布局布线。 用掩模板编程的I/O PAD单元或独立的I/O单元位于芯片四周。 .4 4.4 门阵列 整体结构设计准则 （*） .4 4.4 门阵列 整体结构设计准则 （*） .4 4.4 门阵列 整体结构设计准则 （*） Sea-of-gates Random Logic Mem