光电子技术第2章光辐射的调制分析报告.ppt

第二章 光辐射的调制 2.1 机械调制 2.2 电光调制 2.3 声光调制 2.4 磁光调制 2.5 电吸收光调制 2.1 机械调制 2.2 电光调制 在强电场作用下介质折射率改变而产生的光调制。适用于单色光源。 2.3 声光调制 利用超声波引起介质折射率变化而产生的光调制。 2.4 磁光调制 一、磁光效应 2.5电吸收光调制 量子受限斯塔克效应表现出很好的吸收特性：吸收边陡峭，热稳定性良好。电控可使吸收峰移动，从而使光通断。 的关系曲线 选取工作点： 若使 作正弦变化，频率为ω， 则有 要实现光强调制，超声波应是高频调幅波，则电-声换能器上驱动信号应是高频调幅电信号。 高频振荡（ωs）激发声光栅，产生布拉格衍射。 振幅调制（ω）使衍射光成为调制光。 将图像、声音信号加载到高频振荡（ωs）上，则衍射光就携带了图像、声音信号。 三、声光调制器的调制带宽 声波以比光波慢得多的速度在介质中传播。因此声波通过宽度为b的光束需要较长的渡越时间τ： 这就对最高的调制频率带来限制： 为了提高 选取 大的声光介质： 用细束（b小）激光 用较高的ωs 声光调制器的调制带宽不如电光调制器,但它光能利用率高,所需要的驱动功率小。在激光打印机、激光印刷设备中得到广泛应用。 磁场也能使晶体产生光各向异性，称为磁光效应。 1.法拉第效应 光波通过磁光介质、平行于磁场方向传播，线偏振光的偏振面发生旋转的现象。 磁致旋光 K:Verdet常数，与材料、波长相关。 非互易性：磁致旋光的方向决定于磁场方向 而与光传播方向无关。 以顺着磁场方向为基准， 光矢右旋（K0），介质为正旋体， 光矢左旋（K0），介质为负旋体。 非互易性的直接应用是光隔离器。 在法拉第效应装置中，设计N1、N2成45°角，线圈电流产生的磁场造成旋光角45°。 入射线偏振光的光矢右旋45°，刚好通过检偏器，光从左向右导通 ；若光从检偏器端射入，线偏振光通过介质仍然右旋45°，光矢与N1方向垂直，不能通过起偏器，从右向左不导通。 光隔离器是光通信系统中必不可少的器件。 * * * * 光辐射的调制是用数字或模拟信号改变光波波形的幅度、频率或相位的过程 在光通信系统中， 需要把声音、图像、数据信息加载到光波上进行传输。 在光电检测系统中， 使探测光为调制光，可以比非调制光 具有更强的抗干扰能力。 光辐射的调制方法： 内调制：即LD和LED的直接调制 外调制：将光源与调制器分开设立 外调制器： 机械调制 电光调制声光调制 磁光调制 外调制技术适用于所有光源。 电吸收光调制 利用斩波器通断光通量，使探测光成为调制光。 调制光并配上合适的有源带通滤波器，以克服杂散光的干扰 。 斩波器 有源带通滤波器 探测器输出的光电流 设计有源带通滤波器，f0为方波频率。通频带△f窄，杂散光被滤去。 优点：容易实现；能对辐射的任何光谱成分进行调制。 缺点：有运动部分，寿命较短，体积较大，调制频率不高。 一些机械调制装置 一、电光效应 线性电光效应（Pockels） 二次电光效应（Kerr） 介质原本是单轴晶体。 介质原本是各向同性晶体。 电光调制基于线性电光效应。 1. 的纵向电光效应 KDP负单轴晶体 强电场E//Z轴,KDP变为双轴晶体；线偏振光沿Z轴入射，分解成X、Y方向上振幅相同的两个线偏振光。 光传播方向与电场方向一致 与X轴对应的主折射率： 与Y轴对应的主折射率： 式中，no为KDP晶体o光折射率， 为电光系数。 X、Y方向两偏振光射出晶体时有光程差: 则相位差为： 半波电压 : 造成光程差 2. 的横向电光效应 光传播方向与电场方向垂直 对KDP晶体采用45°-Z切。强电场E//Z轴,KDP变为双轴晶体。入射光沿X轴方向进入晶体，其偏振方向与Z、Y成45°，在晶体中分解为Z、Y方向两个振幅相同的线偏振光。 与Z轴对应的主折射率： 与Y轴对应的主折射率： 式中ne是晶体e光折射率，E=U/d，U为外加电压。 两个线偏振光射出晶体时有光程差： 则相位差为： 消除自然双折射 横向电光效应的优点： 适当地增加 L/d ，就可以增强电光效应的作用而降低晶体上所需的电压；电极设在横向，不影响光的传播；在外加电压 U一定时，加长晶体通光长度并不影响晶体内的电场强度，因而可以加长晶体长度获得较大的相位延迟。 半波电压 为: 通常，纵向 是数千伏，横向 只是数百伏。 3.电光晶体材料 用于线性电光效应的