第四章集成电路制造工艺重点解析.ppt

* 4.1 双极集成电路制造工艺 制作埋层 初始氧化，热生长厚度约为500～1000nm的氧化层（做砷注入的阻挡层） 光刻1#版(埋层版)，利用反应离子刻蚀技术将光刻窗口中的氧化层刻蚀掉（露出埋层区），并去掉光刻胶 进行大剂量As+注入并退火，形成n+埋层 双极集成电路工艺 生长n型外延层 利用HF腐蚀掉硅片表面的氧化层 将硅片放入外延炉中进行外延，外延层的厚度和掺杂浓度一般由器件的用途决定 形成横向氧化物隔离区 热生长一层薄氧化层，厚度约50nm（做氮化硅的缓冲层） 沉积一层氮化硅，厚度约100nm（做氧化时的掩蔽层） 光刻2#版(场区隔离版) 形成横向氧化物隔离区 利用反应离子刻蚀技术将光刻窗口中的氮化硅层-氧化层以及一半的外延硅层刻蚀掉 进行硼离子注入（形成沟道隔断区） 形成横向氧化物隔离区 去掉光刻胶，把硅片放入氧化炉氧化，形成厚的场氧化层隔离区 去掉氮化硅层 形成基区 光刻3#版(基区版)，利用光刻胶将收集区遮挡住，暴露出基区 基区离子注入硼（形成p型基区） 形成接触孔： 光刻4#版(基区接触孔版) 进行大剂量硼离子注入（形成p＋区，便于做欧姆接触） 刻蚀掉接触孔中的氧化层（氮化硅的缓冲层，约50nm厚） 形成发射区 光刻5#版(发射区版)，利用光刻胶将基极接触孔保护起来，暴露出发射极和集电极接触孔 进行低能量、高剂量的砷离子注入，形成n型发射区和集电区 金属化 沉积金属，一般是铝或Al-Si、Pt-Si合金等 光刻6#版(连线版)，形成金属互连线 合金：使Al与接触孔中的硅形成良好的欧姆接触，一般是在450℃、N2-H2气氛下处理20～30分钟 形成钝化层 在低温条件下(小于300℃)沉积氮化硅 光刻7#版(钝化版) 刻蚀氮化硅，形成钝化图形 4.2 CMOS集成电路制造工艺 形成N阱 初始氧化（形成氮化硅的缓冲层） 沉积氮化硅层（做砷或磷离子注入的掩蔽层） 光刻1版，定义出N阱 反应离子刻蚀氮化硅层（露出N阱区） N阱离子注入，注入磷或砷离子 形成P阱 去掉光刻胶 在N阱区生长厚氧化层（硼注入时的掩蔽层），其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化 去掉氮化硅层（露出p阱区） P阱离子注入，注硼 推阱 退火驱入 去掉N阱区的氧化层 形成场隔离区 生长一层薄氧化层缓冲层 沉积一层氮化硅 光刻场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来 反应离子刻蚀氮化硅 场区离子注入（沟阻注入） 热生长厚的场氧化层 去掉氮化硅层 形成多晶硅栅 生长栅氧化层 沉积多晶硅 光刻多晶硅栅 刻蚀多晶硅栅 形成硅化物 沉积氧化层 反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层 沉积难熔金属Ti或Co等 低温退火，形成C-47相的TiSi2或CoSi2 去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co 高温退火，形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2 形成N管源漏区 光刻，利用光刻胶将PMOS区保护起来 离子注入磷或砷，形成N管源漏区 形成P管源漏区 光刻，利用光刻胶将NMOS区保护起来 离子注入硼，形成P管源漏区 形成接触孔 化学气相沉积硼磷硅玻璃层（BPTEOS） 硼磷硅玻璃在高温条件下某种程度上具有像液体一样的流动能力（回流：Reflow）。因此硼磷硅玻璃薄膜具有卓越的填孔能力，并且能够提高整个硅片表面的平坦化，从而为光刻及后道工艺提供更大的工艺范围。 退火和致密 光刻接触孔版 反应离子刻蚀磷硅玻璃，形成接触孔 形成第一层金属 沉积金属钨(W)，形成钨塞 形成第一层金属 沉积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 光刻第一层金属版，定义出连线图形 反应离子刻蚀金属层，形成互连图形 形成穿通接触孔 等离子体增强正硅酸乙酯（ PETEOS），沉积氧化硅薄膜 通过化学机械抛光进行平坦化 光刻穿通接触孔版 反应离子刻蚀绝缘层，形成穿通接触孔 形成第二层金属 沉积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 光刻第二层金属版，定义出连线图形 反应离子刻蚀，形成第二层金属互连图形 合金 形成钝化层 在低温条件下(小于300℃)沉积氮化硅 光刻钝化版 刻蚀氮化硅，形成钝化图形 测试、封装，完成集成电路的制造工艺 CMOS集成电路一般采用(100)晶向的硅材料 AA 集成电路工艺小结 前工序 图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等技术 薄膜制备技术：主要包括外延、氧化、化学气 相沉积、物理气相沉积(如溅射、蒸发) 等 掺杂技术：主要包括扩散和离子注入等技术 集成电路工艺小结 后工序 划片 封装 测试 老化 筛选 器件老化规律： 老化工艺： 1）高温储藏：表面粘污；键合不良；氧化层缺陷 2）功率老化：24～168小时，1～7天；费用较高 民品：几小时